Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь КАТЕГОРИИ: АрхеологияБиология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия Экология ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Управление МДП-транзистором через подложку
Очевидно, что ширина р-n - перехода и ширина канала изменяется при подаче на подложку дополнительного напряжения, т.е. током истока можно управлять не только путем изменения напряжения на затворе, но и за счет изменения напряжения на подложке. В этом случае управление МДП-транзистором аналогично полевому транзистору с управляющим р-n - переходом.
Режимы обеднения и обогащения В транзисторах со встроенным каналом ток в цепи стока будет протекать и при нулевом напряжении на затворе. Для его прекращения необходимо к затвору приложить положительное напряжение (при структуре с каналом р-типа), равное или большее напряжения отсечки. При этом дырки из инверсного слоя будут практически полностью вытеснены вглубь полупроводника и канал исчезнет. При приложении отрицательного напряжения канал расширяется, и ток снова увеличивается. Таким образом, МДП-транзисторы со встроенными каналами работают в режимах как обеднения, так и обогащения.
Преимущества МДП-транзисторов Важным преимуществом МДП-транзисторов по сравнению с биполярными является малое падение напряжения на них при коммутации малых сигналов. Так, если в биполярных транзисторах в режиме насыщения напряжение коллектор-эмиттер принципиально не может быть меньше нескольких десятых долей вольт, то для МДП-транзисторов при малых токах стока это напряжение при работе транзистора в начальной области выходной ВАХ может быть сведено к ничтожно малой величине.
Разновидности МДП-транзисторов На рисунке 44.а попарно показаны МДП-транзисторы со встроенным n-каналом и p-каналом. Каждый тип МДП-транзистора представлен в двух вариантах: с отдельным выводом подложки и общим выводом подложки и истока. Аналогичный вид имеют обозначения МДП-транзисторов с индуцированным каналом (рисунок 44.б). Рис. 44. МДП-транзисторы со встроенным (а) и индуцированным (б) каналами (1 - затвор, 2 – исток, 3 - сток, 4 - подложка, +/– - полярность напряжения)
Исследования характеристик МДП-транзисторов Для исследования характеристик МДП-транзисторов используется схема, приведенная на рисунок 45. С ее помощью получают семейство выходных характеристик МДП-транзисторов при фиксированных значениях напряжения на затворе Ug и подложке Ub.
Располагая такими характеристиками, можно определить: · крутизну транзистора S при управлении со стороны затвора S=dId/dUg; · крутизну при управлении со стороны подложки Sb=dId/dUb; · статический коэффициент усиления M=dUd/dUg; · выходное дифференциальное сопротивление Rd=dUd/dId и другие параметры.
Рис. 45. Схема для исследования характеристик МДП-транзисторов
Задание на лабораторную работу 1. С помощью схемы (рисунок 43) получить семейство выходных характеристик полевого транзистора при Ug=-l, -0,5, 0, +1, +2, +5 В. Для р-канальных транзисторов изменить полярность источников напряжения. По характеристикам определить напряжение отсечки и крутизну выходной характеристики в начальной области и в области насыщения. 2. С помощью схемы (рисунок 45) получить семейство выходных характеристик МДП-транзистора MOS_3TDP_VIRTUAL со встроенным каналом при Ug =-5, -2, -1, 0, +1, +2, +5 В и по ним определить следующие параметры транзистора: S, M, Rd. 3. Выполнить исследования по п. 2 для МДП-трапзистора с индуцированным каналом. Дополнительно определить пороговое напряжение. При необходимости изменить полярность источников напряжения. 4. Создать отчет (документ Word, Exel). В отчет занести результаты измерений, графики, расчеты.
Таблица 8. Задание на лабораторную работу
3.16.21. Контрольные вопросы 1. Основные отличия полевых транзисторов от биполярных. 2. Преимущества полевых транзисторов. 3. Устройство полевого транзистора с р-n переходом. 4. Основные процессы в полевых транзисторах. 5. Способы управления током в полевых транзисторах. 6. Отличие полевых и канальных транзисторов. 7. Устройство МДП-транзисторов. 8. Отличие МДП- и МОП-транзисторов. 9. Отличительные признаки МДП-транзисторов с индуцированным и встроенным каналом.
10. Режимы работы МДП-транзисторов. 11. Принцип действия МДП-транзисторов. 12. Роль подложки в МДП-транзисторах. 13. Пороговое напряжение и напряжение отсечки. 14. Схемы включения полевых транзисторов. 15. Изоляция рабочих областей МДП-транзисторов от подложки. 16. Управление МДП-транзистором через подложку. 17. Разновидности МДП-транзисторов.
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Последнее изменение этой страницы: 2017-02-10; просмотров: 394; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 3.22.242.141 (0.006 с.) |