Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь КАТЕГОРИИ: АрхеологияБиология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия Экология ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Дослідження спектральної чутливості ⇐ ПредыдущаяСтр 5 из 5
Напівпровідникового фотоелемента Мета роботи: вивчення будови монохроматора та методу його градуювання, дослідження спектральної чутливості напівпровідникового фотоелемента з запірним шаром. Прилади та обладнання: фотоелемент, монохроматор УМ-2, універсальний цифровий вольтамперметр В7-35, ртутна лампа.
Теоретичні відомості Поряд із зовнішнім фотоефектом існує вентильний фотоефект або фотоефект запірних шарів. Він полягає в безпосередньому перетворенні світлової енергії в електричну. Вентильний фотоелемент (або фотоелемент із запірним шаром) складається з двох тіл з n- та p- провідністю (рис. 1). При з’єднанні напівпровідників n- та p- типу виникає контактна різниця потенціалів (рис.1). Але робота виходу електронів з напівпровідника n- типу менша, ніж робота виходу дірок напівпровідника p- типу, тому кількість електронів, які перейдуть у напівпровідник p- типу, буде більше кількості дірок, які перейдуть у напівпровідник n- типу. За рахунок цього напівпровідник n- типу заряджається позитивно. При освітленні такої системи світлом звільняються електронно-діркові пари, й під дією контактної різниці потенціалів звільнені електрони будуть рухатися у бік напівпровідника n- типу, а дірки – у бік напівпровідника p- типу. Якщо коло замкнене, як показано на рис.1, то в колі буде протікати струм до тих пір, доки система освітлюється світлом.
Напівпровідникові фотоелементи із запірним шаром дають в колі струм без дії прикладеної зовні електрорушійної сили. Якщо фотоелемент послідовно освітлювати різними монохро-матичними джерелами, які випромінюють однакову енергію, то величина фотоструму буде залежати від довжини хвилі падаючого світла. Тому поряд з інтегральною чутливістю вводиться поняття спектральної чутливості. Інтегральна чутливість g вимірюється відношенням сили фотоструму до величини потоку світлової енергії Ф білого світла: Спектральна чутливість gl вимірюється відношенням сили фотоструму до величини потоку світлової енергії Фl у вузькому інтервалі довжин хвиль l, l + dl, що падає на фотоелемент: . Найпростіший спосіб отримання спектральної характеристики фотоелемента полягає в тому, що на останній направляють за допомогою монохроматора світло однакової інтенсивності, але різної довжини хвилі і вимірюють відповідну величину фотоструму і.
На практиці інтенсивність джерел світла різна для різних довжин хвиль. Тому, якщо перед монохроматором встановити лампу розжарення і обертати його барабан, то інтенсивність світла різних довжин хвиль, що виходить з окуляра монохроматора, буде неоднаковою. Однак величина енергії el для кожного значення l може бути визначена на основі законів теплового випромінювання. Знання залежності el = f(l) дозволяє перерахувати силу фотоструму від реального джерела до немонохроматичного джерела постійної інтенсивності в будь-якому спектральному інтервалі. На рис. 2. представлена залежність енергії випромінювання від довжини хвилі для розжареного вольфраму, який має температуру Т = 2873 К. На осі ординат відкладена інтенсивність випромінювання J в умовних одиницях. Причому за одиницю інтенсивності прийнята
енергія, яка відповідає довжині хвилі l = 5600 (це довжина хвилі відповідає максимальній чутливості ока). Для світла довжиною хвилі l = 5600 Å фотострум і в стільки разів менший, ніж струм від джерела постійної інтенсивності e, в скільки разів el менше від e = e5600. Тому для того, щоб зробити перерахунок, покази гальванометра (фотострум) слід помножити на коефіцієнт k. Тоді, для l 5600 Å, ; для l > 5600 Å, . Для визначення чутливості фотоелемента зазвичай користуються еталонними лампами з відомими кривими Віна, або ж визначають пірометром температуру нитки лампи розжарення і, знаючи матеріал спіралі нитки, за табличними даними будують криву Віна el = f(l). Потім визначають коефіцієнт k для різних довжин хвиль (див. таблицю 1). В даній роботі використана лампа з вольфрамовою спіраллю (робоча температура Т = 2873 К). Значення k для різних довжин хвиль наведені нижче. Перед вхідною щілиною монохроматора встановлена лампа розжарення, а перед вихідною – досліджуваний напівпровідниковий фотоелемент із запірним шаром (селеновий). Фотоелемент з’єднаний з універсальний цифровий вольтамперметр В7-35, що працює в режимі амперметра.
|
||||||||
Последнее изменение этой страницы: 2017-02-10; просмотров: 536; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 3.144.161.116 (0.005 с.) |