Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь КАТЕГОРИИ: АрхеологияБиология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия Экология ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Пеьзокерамические материалы.
Контрольные вопросы: 1. Какие виды электретов существуют? 2. Перечислите особенности сегнетоэлектриков. 3. Свойства пьезоэлектриков и их применение. Полупроводниковые материалы. Полупроводники – это материалы с удельным сопротивлением r=10-5 – 106. Полупроводники должны обладать высокой степенью чистоты, т.к. их свойства зависят от очень малого количества примесей (их должно быть не более 10-8%).
К особенностям полупроводников относятся: 1. В чистых полупроводниках практически нет свободных зарядов, т.к. они связаны прочными ковалентными связями. 2. Электрический ток в полупроводниках может возникать и изменяться в широком диапазоне под влиянием внешних воздействий (эл. напряжение, температура, интенсивность освещения).
Перемещение электронов в одном направлении (Iэ) и дырок в другом (Iд) определяют собственную электропроводность в полупроводнике. Iсобств=Iэ + Iд, следовательно Iэ = Iд, Т.к. собственный ток в полупроводниках очень мал, для получения свободных зарядов в чистый полупроводник вводят легирующие примеси:
1. Донорные примеси. Обеспечивают полупроводник свободными электронами для получения электронной проводимости Валентность донорных примесей должна быть больше валентности основного материала. Так в 4х валентный германий или кремний вводят 5ти валентные мышьяк, сурьму, фосфор. Получаем Iэ >> Iд.
2. Акцепторные примеси. Обеспечивают дырочную проводимость. Валентность примесей должна быть меньше валентности основного материала. Так в 4х валентный германий или кремний вводят 3х валентные бор, индий, галий, алюминий. Получаем Iэ << Iд.
На величину тока в полупроводниках влияет:
1. Температура. При повышении температуры проводимость всех полупроводников увеличивается. Рост происходит тем интенсивнее, чем больше донорных или акцепторных примесей введено в полупроводник. При температуре близкой к абсолютному 0 (-273 Со) полупроводники становятся диэлектриками.
2. Приложенное напряжение. В полупроводниках наблюдается нелинейная зависимость тока от напряжения, т.к. при повышении величины приложенного напряжения сопротивление полупроводника уменьшается. При изменении полярности приложенного напряжения, ток также меняет свое направление.
I(А)
.
U
Свойства полупроводников. Свойства полупроводников определяются следующими параметрами:
1. Удельное электрическое сопротивление r= . 2. Удельная электропроводность полупроводника
g= , где е – величина заряда электрона, n - концентрация электронов, u – подвижность электронов. 3. Подвижность носителей заряда (u) – это скорость перемещения электрона в направленном электрическом поле при разности потенциала в 1 вольт. Подвижность зависит от температуры, от концентрации примесей и дефектов кристаллической решетки. 4. Ширина запрещенной зоны Е (эВ) – это энергия, которую необходимо сообщить собственному электрону, чтобы он преодолел силу притяжения и стал свободным носителем заряда. Зависит от температуры. Ширина запрещенной зоны больше у тех материалов, которые имеют более высокую температуру плавления. 5. Концентрация собственных носителей зарядов. Зависит только от температуры. 6. Концентрация примесных носителей зарядов. Зависит от количества примесей и температуры. 7. Время жизни носителей заряда – это время существования электрона с момента его отрыва до момента рекомбинации или потери энергии. 8. ТК удельного сопротивления.
В производстве полупроводниковых приборов используют следующие виды полупроводниковых материалов: Простые полупроводники. Простыми называют п/п, основной состав которых образован атомами одного и того же элемента. Большинство п/п материалов являются твердыми кристаллическими веществами с решеткой типа алмаза. К простым п/п относятся:
1. Германий – элемент IV группы. Плотность – 5,35 г/м3 . Температура плавления = 937оС. Собственное удельное сопротивление r = 0,68 Ом*м. Ширина запретной зоны DW = 0,75 эВ. Т.к. ширина запретной зоны невелика, поэтому рабочая температура п/п приборов на основе германия не более +80оС. Отрицательная рабочая температура не ниже – 60о. Все сорта германия обладают высокой твердостью и хрупкостью. Для использования в производстве п/п элементов легируют донорными и акцепторными примесями.
Применяется для изготовления диодов и транзисторов различного назначения. Также применяют в производстве фотодиодов, фототранзисторов, варикапов и т.д. Монокристаллический германий для полупроводниковых приборов выпускают в виде слитков диаметром около 30мм. Маркируется германий следующим образом: ГЭС-15, где Г- германий; Э – тип проводимости(электронная); С – легированный сурьмой; Цифра обозначает удельное сопротивление, т.е. r = 15 ом*см. ГДГ-7,5; германий с дырочной проводимостью, легированный галием, r=7,5 ом*см.
2. Кремний – элемент IV группы. Плотность – 2,32 г/см3. Температура плавления = 1414оС. Собственное удельное сопротивление r = 2,3 * 103Ом*м. Ширина запретной зоны DW = 1,12 эВ. Большая, чем у германия, величина запретной зоны позволяет создавать п/п приборы с верхним температурным пределом около 200оС. Кремний является базовым материалом для изготовления планарных транзисторов и интегральных микросхем. Также из кремния выпускают выпрямительные, импульсные и СВЧ-диоды, стабилитроны, тиристоры, биполярные транзисторы различной мощности. Монокристаллический кремний маркируется следующим образом: КЭФ-3/2, где К – кремний; Э- электронная проводимость; Ф – легирован фосфором; r = 3 ом*см; 2 – время жизни заряда в мксек.
3. Селен – элемент VI группы. Может существовать как в аморфной, так и в кристаллической модификации. Аморфный селен является диэлектриком его удельное сопротивление r = 1012 ом*см., кристаллический – полупроводником, удельное сопротивление которого уменьшается за счет введения примесей. Для получения электронной проводимости вводят элементы VII группы - бром, хлор, йод. Для получения дырочной проводимости вводят элементы V группы – фосфор, сурьма, мышьяк. Из селена изготавливают выпрямители, фоторезисторы, фильтры в приборах инфракрасного диапазона. 4.3 Сложные полупроводники. Их основной состав образован двумя или более элементами. Наиболее широко в производстве РЭА применяются двойные соединения следующих типов:
1. АIVВ IV Единственным соединением такого типа является карбид кремния - SiC. Является очень прочным, твердым материалом с повышенной термостойкостью. Ширина запретной зоны составляет DW=3,2эВ. Большое значение ширины запретной зоны позволяет создавать на основе карбида кремния п/п элементы рабочая температура которых достигает 700оС.
2. АIIIВV Это соединение бора, индия, галлия, алюминия (III гр.) с азотом, фосфором, сурьмой, мышьяком (Vгр.). Широко используются следующие материалы:
2.1 арсенид галлия GaAs. DW=1,4эВ. Применяется в производстве туннельных, импульсных, ВЧ- диодов, полевых транзисторов, элементов микросхемотехники.
2.2 фосфид галлия GaР DW=2,24эВ. Применяется в производстве мощных выходных транзисторов, светодиодов, солнечных батарей.
2.3 антимонид индия InSb. Обладает свойством изменять свое сопротивление при воздействии магнитного поля и обладает фоточувствительностью. Используют в датчиках магнитного излучения и в производстве магниторезисторов.
3. АIIВVI Это соединения цинка, кадмия, ртути (II гр) с серой селеном и теллуром (VIгр). Такие соединения называются халькогенидами. Все халькогениды обладают высокой чувствительностью к излучению от инфракрасного до рентгеновского спектра, проявляя фоторезистивные и люминесцентные свойства. Широко применяются халькогениды цинка (сульфид, теллурид, селенид). Самым чувствительным фоторезистом в видимой части спектра сульфид кадмия.
Применяется в качестве люминофора, для изготовления дозиметров различного излучения, счетчиков частиц и т. д.
Контрольные вопросы:
1. Перечислите основные характеристики полупроводниковых материалов. 2. Как получить полупроводник с p или n проводимостью? 3. Какие материалы используются в качестве простых полупроводников? 4. Какие материалы используются в качестве сложных полупроводников?
5. Магнитные материалы . Назначение магнитных материалов, используемых в радиоэлектроники, является придание особых свойств элементам радиоэлектронных устройств, для создания устройств обладающим запасом энергии, а также использование их в качестве конструкционных материалов. Например: 1. Магнитные материалы используются для усиления (увеличения) магнитного поля в катушках индуктивности, что приводит к увеличению индуктивности. 2. В громкоговорителях, для создания движения диффузора, который приводится в движении при взаимодействии переменного поля катушки и постоянного поля магнита и создает колебание воздуха. 3. В электроизмерительных приборах, где поле рамки взаимодействует с постоянным магнитом (полем) и рамка отклоняется на тот или иной угол, фиксирует величину тока, протекающую через обмотку рамки. 4. В магнитных головках магнитофонов, в отклоняющих устройствах и фиксирующих в ЭЛТ, в магнитных усилителях, двигателях, в устройствах памяти, переключающих устройствах и.т.д.
Кроме этого магнитные материалы используются для изготовления экранов (электромагнитных) и многих конструкционных элементов, начиная от шасси и кончая корпусами, кожухами, каркасами. Если в первом случае используются их электрические свойства, то во втором случае используются их механические свойства: хорошая обрабатываемость, твердость, жесткость и.т.д.
|
|||||||
Последнее изменение этой страницы: 2017-02-06; просмотров: 271; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 13.59.136.170 (0.014 с.) |