Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь КАТЕГОРИИ: АрхеологияБиология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия Экология ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Список к теме 1.3 «Процессы и инструменты нанотехнологий»
1. Gimzewski, J. K. and С Joachim. 1999. Nanoscale science on single molecules using local probes. Science 283:1683-1688. 2. Noy, A., D. V. Vezenov, and С. М. Lieber. 1997. Chemical force microscopy. Ann. Rev. Materials Science 27:381-421. 3. Knoll, B. and F. Keilmann. 1999. Near-field probing of vibrational absorption for chemical microscopy. Nature 399 (13 May): 134-137. 4. Eigler, D. M.,C. P. Lutz, and W. E. Rudge. 1991. An atomic switch realized with the scanning tunneling microscope. Nature 352(6336) (Aug 15): 600—603. 5. Wada, Y. 1997. Atom electronics: A proposal of atom/molecule switching devices. Surface Science 386:265-278. 6. Minne, S. C, et al. 1996. Independent parallel lithography using the AFM. /. Vac. Sci.Technol. В 14:2456. 7. Miller, S. A, K. L. Turner, and N. C. MacDonald. Microelectromechanical scanning probe instruments for array architectures. Rev. Sci. Instrum. 1997. 68: 4155-4162. 8. Minne S. C, G. Yaralioglu, S. R. Manalis, J. D. Adams, J. Zesch, A. Atalar and C. F. Quate. 1998. Automated parallel high-speed atomic force microscopy. Appl. Phys. Lett.72:2340-2342. 9. Korgel B. A., N. Сборка и организация сверхрешеток из нанокристаллов серебра: упорядоченные сферы. J. Phys. Chem. B.1998.102. № 43. с.379-388. 10. Sarathy K.V. Упорядоченные структуры из наночастиц Au, Ag и Pt, стабилизированные тиопроизводными. J. Phys. Chem. B. 1997.101, № 48 с.9876-9880. Список к теме 2.1 1. Гуреева О. Транзисторная история. Изобретение транзисторов и развитие полупроводниковой электроники // Компоненты и технологии, № 9, 2006. 2. Левин А. Транзистор – дитя многих родителей // Компьютера, № 45 (617), 2005. / Электронный ресурс: http://offline.computerra.ru 3. Меркулов В. 60 лет создания транзистора. Начало применения полупроводников // Радио, № 12, 2007, с. 7–9. 4. Маллер Р., Кейминс Т. Элементы интегральных схем. Пер. с анг. – М.: Мир, 1989. – 630 с. 5. Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технология изготовления. Пер. с англ./ Под ред. Д.В. Ди Лоренцо, Д.Д. Канделуола. – М.: Радио и связь, 1988. – 496 c. 6. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы. – СПб.: Лань, 2006. – 480 с. 7. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. – М.: Лаборатория базовых знаний, 2004. – 488 с. 8. Сугано Т., Икома Т., Такэиси Ё. Введение в микроэлектронику. Пер. с яп. – М.: Мир, 1988. – 320 с. 9. Меркулов Д., Меркулов В. CeBIT 2008: микропроцессоры INTEL – поступь технологий // Радио, № 9, 2008, С. 4-8. 10. Транзистор: 60 лет больших свершений маленького элемента // Компьютер Пресс, № 12, 2007 / Электронный ресурс: http://www.compress.ru 11. Хвостов В. В. Физические основы молекулярной и наноэлектроники. Презентации / Электронный ресурс: http://phys-elec.clan.su/ 12. Нанотехнология: физика, процессы, диагностика, приборы / Под ред. Лучинина В. В., Таирова Ю. М. – М.: ФИЗМАТЛИТ, 2006. – 552 с.
13. Нанотехнологии в электронике / Под ред. Ю. А. Чаплыгина – М.: Техносфера, 2005. – 448 с. 14. Нанотехнологии в полупроводниковой электронике / Отв. Редактор А. Л. Асеев. – Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2004. – 368 с. 15. Пожела Ю. Физика быстродействующих транзисторов. – Вильнюс: Мокслас, 1989. – 264 с. 16. Лихарев К. К. О возможности создания аналоговых и цифровых интегральных схем на основе дискретного одноэлектронного туннелирования // Микроэлектроника. – 1987. – Т.16, вып. 3. – С. 195-209. 17. Рамбиди Н. Г. Нанотехнологии и молекулярные компьютеры. – М.: Физматлит, 2007. – 256 с. 18. Валиев К., Орликовский А. Кремниевый нанотранзистор сохраняет свои позиции // ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, Технология, Бизнес, № 3, 2004, С. 46-49. 19. Щука А. А. Электроника. – СПб.: БХВ-Петербург, 2005. – 800 с. 20 Головин Ю. И. Введение в нанотехнику. – М.: Машиностроение, 2007. – 496 с. 21. Интегрированные транзисторы CMOS tri-gate. Подготовка к созданию технологий будущего поколения // Компьютер Пресс, № 10, 2006 / Электронный ресурс: http://www.compress.ru. 22. Электронный ресурс: http://www.intel.com/technology/ Список к теме 2.2 1. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы. – СПб.: Лань, 2006. – 480 с. 2. Пожела Ю. К. Физика быстродействующих транзисторов. – Вильнюс: Мокслас, 1989. – 264 с. 3. Шалимова К. В. Физика полупроводников. – М.: Энергоатомиздат, 1985. – 391 с. 4. Фистуль В. И. Введение в физику полупроводников. – М.: Высш.шк., 1984. – 352 с. 5. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: в 2-х книгах. Пер. с англ. – М.: Мир, 1984. – 456 с. 6. Александров Р. Монолитные интегральные схемы СВЧ: взгляд изнутри // Компоненты и технологии, № 9, 2005. 7. Duh K.H.G.> Pospirszalski M.W., Koop W.F. et al. Ultra-low-noise cryogenic high-electron-mobility transistors // IEEE Trans. Electron Dev. 1988. Vol. ED-35, № 3, P.249–256. 8. M. Rudolph, R. Doerner. Key Issues of Compact Models for GaAs Heterojunction Bipolar Transistors // IEEE Transaction, 2005. 9. Lee K., Shur M., Drummond T. J. et al. Charge control modeling of inverted GaAs-GaAs modulation doped FET’s (MO FET’s) // J. Vac. Sci. Technol. 1986. Vol. 82, № 1. P.113-116. 10. Mizutani T., Fujita S., Yanagava F. Complimentary circuit with AlGaAs/GaAs heterostructure MISFETs employing high-mobility-ttwo-dimensional electron and hole gases // Electron. Lett. 1985, Vol. 21, № 23, P.1116-1117. 11. Solomon P. M., Morkoc H. Modulation-doped GaAs/AlGaAs heterojunction field-effect transistors (MODFET's), ultrahigh-speed device for supercomputers // IEEE Trans. Electron Dev. 1984. Vol. ED-31, N 8. P. 1015-1027.
12. Dingle R. New high-speed III- V devices for integrated circuits // IEEE Trans. Electron Dev. 1984. Vol. ED-31, N 11. P. 1662-1667. 13. Кальфа А.А., Тагер А. С. Гетероструктуры с селективным легировнием и их применение // Многослойные полупроводниковые структуры и сверхрешетки. – Горький, Институт прикладной физики АН СССР, 1984. С.104-131. 14. Гергель В. А., Мокеров В. Г., Тимофеев М. В. Квантово-механические особенности эффекта поля в гетеротранзисторах с модуляционным и δ-легированим // Физика и техника полупроводников, 2000, т.34, вып.2, С.234–238. 15. Алексеев А. Н., Александров С. Б., Бырназ А. Э. И др. Многослойные гетероструктуры AlN/(Al,Ga)N/GaN/(Al,Ga)N для мощных полевых транзисторов, полученные аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксией // Письма в журнал технической физики. – 2005. - Т.31, - Вып. 20, - С. 19-27. 16. Александров С. Б., Алексеев А. Н., Бырназ А. Э. и др. Многослойные AlN/(Al,Ga)N/GaN/(Al,Ga)N гетероструктуры с каналом на основе квантовой ямы для мощных полевых транзисторов // Наноструктуры: Физика и Технология, - 2006. – С. 246. 17. Kaminska E., Piotrowska1 A., Szczesny A. et al. Thermally stable Ru-Si-O gate electrode for AlGaN/GaN HEMT // Phys. Stat. Sol.2, 2005, No. 3, 1060–1064. 18. Основы наноэлектроники: учебное пособие / В.А. Гридчин, В. П. Драгунов, И.Г. Неизвестный. – М.: Физматкнига, 2006. – 496 c. 19. Физический энциклопедический словарь. – М.: Сов.энциклопедия, 1983. – 928 с. 20-35к. Frensley W. R. Quantum transport calculation of the small-signal response of a resonant tunneling diode // Appl. Phys. Lett. 1987. Vol. 51, N 6. P. 448-450. 21-27к. Sollner Т. С L. G., Goodhue W.D., Tannenwald P. E. et al. Resonant tunneling through quantum wells at frequencies up to 2.5 THz // Appl.. Phys. Lett. 1983. Vol. 43, N 6. P. 588-590. 22. Sollner Т. С L. G., Brown E. R., Goodhue W. D. Microwave and millimeter-wave resonant tunneling diodes // Picosecond Electronics and Optoelectronics Tech. Digest, 87-1 (Optical Society of America, Washington, D. С 1987). P. 143-145. 23. Brown E. R., Sollner Т. С L. G., Goodhue W. D. et al. Fundamental oscillations up to 200 GHz in a resonant-tunneling diode // Device Research Conference, Santa Barbara, USA, 1987. 24. Inata Т., Muto S., Nakata Y. et al. A pseudomorphic In0,53Ga0,47As/AlAs resonant tunneling barrier with a peak-to-valley current ratio of 14 at room temperature // Jap. J. AdpI. Phys. 1987. Vol. 26, N 8. P. L1332-L1334. 25. Казаринов Р. Ф., Сурис Р. А. К теории электрических и электромагнитных свойств полупроводников со сверхрешеткой // ФТП. 1972. Т. 6, вып. 1. С. 148-162. 26. Capasso F., Mohammed К., Cho A. Y. Electronic transport and depletion of quantum wells by tunneling through deep levels in semiconductor superlattice // Phys. Rev. Lett. 1986. Vol. 57, N 18. P. 2303-2306. 27. Кениг Ю., Шеллер Х., Шен Г. Резонансное туннелирование через одноэлектронный транзистор (доклад на конференции «Мезоскопические и сильнокоррелированные электронные системы», Черноголовка–97)» УФН, 1998, С.168-170.28. Гриняев С.Н., Разжувалов А.Н. Самосогласованный расчет туннельного тока в двухбарьерных гетероструктурах w -GaN/AlGaN (0001) // Физика и техника полупроводников, 2006, т.40, вып.6, С.695–700. 29. Yutaka Ohno, Shigeru Kishimoto, Koichi Maezawa, Takashi Mizutani Photoluminescence Study of Resonant Tunneling Transistor with p+/n-Junction Gate // Jpn. J. Appl. Phys., Vol.39, Part 1, No. 1, 15 January 2000, PP. 35-40.30. Niu Jin, Sung-Yong Chung, R. M. Heyns, P. R. Berger, Ronghua Yu, Ph. E. Thompson, and S. L. Rommel, Tri-State Logic Using Vertically Integrated Si–SiGe Resonant Interband Tunneling Diodes With Double NDR // IEEE Electron Device Letters, 25, Sep. 2004, pp. 646-648. 31. Крыжановская Н.В., Егоров А.Ю., Мамутин В.В. и др. Оптические свойства гетероструктур с квантово-размерными слоями InGaAsN на подложках GaAs, излучающих в области 1,3–1,55 мкм // Физика и техника полупроводников, 2005, т.39, вып.6, С.735–740. 32. G. Scalari, N. Hoyler, M. Giovannini, and J. Faist “Terahertz bound-to-continuum quantum-cascade lasers based on optical-phonon scattering extraction,” Appl. Phys. Lett. 86, 181101-3 (2005). 33. Effects of doping on terahertz quantum-cascade lasers Benz, A.; Fasching, G.; Deutsch, C.; Andrews, A.M.; Unterrainer, K.; Klang, P.; Schrenk, W.; Strasser, G. Infrared and Millimeter Waves, 2007 and the 2007 15th International Conference on Terahertz Electronics. IRMMW-THz. Joint 32nd International Conference on Volume, Issue, 2007 P.949 – 950.] 34. Sandia's quantum mechanical transistor may increase computer speed and sensor accuracy / Электронный ресурс: http://www.sandia.gov 35. Yokoyama N., Imamura K., Muto S. et al. A new functional, resonant-tunneling hot electron transistor (RHET) // Jap. J. Appl. Phys. 1985. Vol. 24, N 11. P. L853-L854. 36. Mori Т., Ohnishi H., Imamura K. et al. Resonant tunneling hot-electron transistor with current gain of 5 // Appl. Phys. Lett. 1986. Vol. 49, N 26. P. 1779- 1780. 37. Shibatomi A., Yokoyama N. Resonant tunneling transistors // Solid State Technology. 1987. Vol. 30, N 11. P. 101-105. 38. Bonnefoi A. R., Chow D. H., McGill Т. С Inverted base-collector tunnel transistors // Appl. Phys. Lett. 1985. Vol. 47, N 8. P. 888-890. 39. Woodward T. K., McGill T. C, Chung H. F. et al. Integration of a resonant-tunneling structure with a metal–semiconductor field-effect transistor //Appl. Phys. Lett. 1987 Vol. 51, N 19. P. 1542-1544. 40. Luryi S., Capasso F. Resonant tunneling of two-dimensional electrons through a quantum wire: A negative transconductance device // Appl. Phys. Lett. 1985. Vol. 47, N 12. P. 1347-1349.
|
||||||
Последнее изменение этой страницы: 2017-02-05; просмотров: 230; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 18.189.180.244 (0.008 с.) |