Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь КАТЕГОРИИ: АрхеологияБиология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия Экология ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Влияние конструктивно-технологических характеристик на радиационную стойкость МОП-структур
В данном пункте будут рассмотрены конструктивно-технологические характеристики, влияющие на стойкость оксидов. Хотя основное внимание будет уделено параметрам, определяющим стойкость подзатворных оксидов, данные параметры также будут оказывать аналогичное влияние на радиационно-индуцированное накопление заряда в полевых изоляционных оксидах и захороненных оксидах КНИ-структур. Ключевым моментом технологического процесса, сильно влияющим на стойкость подзатворного оксида, является толщина оксида. К счастью, при снижении толщины оксида улучшается его радиационная стойкость [13, 15]. На рис. 3.34 [13] показаны графики зависимостей от толщины оксида сдвигов порогового напряжения, обусловленных зарядами ПС и в оксиде, для сухих и влажных (выращенных в паровой среде) оксидов. Видно, что сдвиги порогового напряжения, приходящиеся на оба типа зарядов, снижаются с уменьшением толщины по закону, чуть меньше чем tox 2 (от tox 1,5 до tox 1,8). Для очень тонких оксидов (< 20 нм) имеются свидетельства того, что величина радиационно-индуцированного заряда, захваченного в оксиде, снижается с уменьшением толщины оксида даже еще сильнее [13]. Вследствие улучшения стойкости по мере уменьшения толщины подзатворные оксиды передовых коммерческих технологических вариантов могут быть чрезвычайно радиационно-стойкими.
Рис. 3.34. Зависимости сдвигов порогового напряжения, обусловленных зарядами, накопленными в оксиде (а) и на ПС (б), от толщины оксида [13] Рис. 3.35. Влияние температуры отжига на радиационно-индуцированный заряд, накопленный в оксиде [13] Кроме толщины оксида на радиационную стойкость могут влиять и другие технологические характеристики. Например, высокотемпературный отжиг может существенно снизить стойкость прибора вследствие образования в оксиде кислородных вакансий. На рис. 3.35 показан график температурной зависимости D Vot для конденсаторов, отожженных в азоте при температурах от 800 до 950 °С и облученных дозой 1 Мрад(SiO2) [13]. Температура отжига свыше 875 °С приводит к значительному росту D Vot. Тенденциями передовых коммерческих технологий изготовления ИС является минимизация времени и температуры операций отжига и окисления, чтобы свести к минимуму перераспределение легирующих примесей. Таким образом, минимизация температуры отжига в целях повышения радиационной стойкости согласуется с существующими тенденциями развития технологии изготовления коммерческих ИС.
Отжиг в среде азота при тех же температурах на величину D Vit влияет существенно меньше. Однако отжиг в водородсодержащей среде после осаждения материала затвора (поликремния или металла) может привести к существенному повышению радиационно-индуцированного заряда ПС. На рис. 3.36 [13] показаны значения D Vit для конденсаторов, отожженных после осаждения материала затвора в средах с различным содержанием водорода и облученных дозой 100 крад(SiO2). Конденсатор А отжигался в среде с наименьшим содержанием водорода, а конденсатор С — в среде с наибольшим содержанием водорода. Увеличение содержания водорода при отжиге привело к росту концентрации заряда ПС. Рис. 3.36. Влияние водорода на радиационно-индуцированное накопление заряда ПС [13]: конденсатор А отжигался в среде с наименьшим содержанием водорода, а конденсатор С — в среде с наибольшим содержанием водорода Таким образом, для получения оптимальной стойкости технологические операции после создания затворной системы следует проводить при температуре £ 850 °С (за исключением, возможно, нескольких операций быстрого кратковременного термического отжига) и в среде, содержащей минимальное количество водорода.
|
|||||||||
Последнее изменение этой страницы: 2017-01-27; просмотров: 354; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 18.222.117.109 (0.006 с.) |