Схема пiдсилювача з спiльним емiтером

 

Схема цього пiдсилювача зображена на рис. Основною особливiстю схеми з СЕ являється те, що вхiдним струмом у нiй служить не великий струм емiтера, а малий по величинi струм бази. Вихiдним струмом в цiй схемi, як i в схемi з СБ, являється струм колектора. Перемiнна напруга, яка видiляється на резисторi R _к, являється вихiдною напругою.

Робота такого пiдсилювача пояснюється епюрами напруг i струмiв, зображеними на рис.

При U _вх = 0 струми бази i колектора будуть визначатися струмами в початковiй робочiй точцi: I _бо i I _ко, а напруга на колекторi дорiвнює U _кео = Е _к – I _ко R _к.

Пiд час позитивного пiвперiоду вхідної напруги (рис. а) пряма напруга емiтерного переходу зменшується (рис. б), що приводить до зменшення струмiв бази i колектора (рис. в,г) i до збiльшення напруги колекторного переходу (рис. д). При цьому фазовий кут зсуву мiж перемiнною напругою на колекторi (яка зумовлюється перемiнною складовою колекторного струму) i перемiнною вхiдною напругою дорiвнює 180^о, тобто схема з СЕ iнвертує вхiдний сигнал.

При вiдповiдному виборi опору навантаження R _к амплiтуда перемінної напруги на виходi (рис. е) такого пiдсилювача U_{m вих} = I_{m к} R _к може значно перевищувати амплiтуду вхідної напруги, що свiдчить про можливiсть пiдсилення сигналу.

В данiй схемi, як i в схемi з СБ, необхiдною умовою iснування колекторного струму являється наявнiсть джерела постiйного струму Е _к. Внаслiдок того, що напруга в колi колектора значно перевищує напругу, яка пiдводиться до емiтерного переходу, а струми емiтера i колектора приблизно однаковi, потужнiсть корисного сигнала на виходi схеми (в колекторному колi) виявляється набагато бiльшою, нiж у вхiдному (емiтерному) колi транзистора. При цьому транзистор являється своєрiдним регулятором. Пiд дiєю струму (або напруги) вхiдного сигнала вiн управляє струмом джерела живлення Е _к. Величина i форма колекторного струму залежить не лише вiд амплiтуди i форми вхiдного сигнала, але i вiд вибраного режима роботи транзистора, тобто вiд положення робочої точки на характеристиках транзистора.

Ця схема являється найбiльш розповсюдженою, тому що вона дає найбiльше пiдсилення по потужностi.

Для визначення основних параметрiв схеми з СЕ (як i схеми з СБ) будемо використовувати еквiвалентну схему замiщення, зображену на рис.

Вхiдний опiр для схеми з СЕ

(3.14)

i складає вiд сотень Ом до одиниць кОм.

Отже, вхiдний опiр транзистора в схемi з СЕ значно бiльший, нiж в схемi з СБ. Це очевидно з слiдуючої нерiвностi:

. (3.15)

Вихiдний опiр в схемi з СЕ визначається як

(3.16)

i складає одиницi-десятки кiлоом.