Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь КАТЕГОРИИ: АрхеологияБиология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия Экология ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Схемы включения транзистора с об, ОЭ, ок.
В зависимости от того, какой из выводов транзистора является общим между источником сигнала на входе и выходной цепью транзистора, существуют три основные схемы включения транзистора в электрическую цепь: с об, с оэ, с ок
19.Основные параметры транзисторов: а) физические б) һ-параметры. по схеме с общей базой: а) коэффициент усиления по токуKI=dIk/dIэ Ток не усиливается, Iвых < I вх, что является недостатком схемы;. б) коэффициент усиления по напряжениюKU=dUвых/aUвх=dIkRk/dIэRвх Так как всегда можно подобратьRk>>Rвх, тоKU>>1; в) коэффициент усиления по мощностиKp=KIKU;г) входное сопротивление Rвх=dUэб/dIэ, малое входное сопротивление является недостатком схемы, так как оно закорачивает источник сигнала, т.е. требуется большой входной ток;д) выходное сопротивление Rвых =dUкб/dIк;е) фазовый сдвиг выходного напряжения равен нулю.* h11=dU1/dI1|U2=0 – входное сопротивление при коротком замыкании на выходе (по переменному току);h12=dU1/dU2|I1=0 – коэффициент обратной связи по напряжению при холостом ходе на входе (по переменному току), h21=dI2/dI1|U2=0– коэффициент передачи тока при коротком замыкании на выходе;h22=dI2/dU2|I1=0– выходная проводимость транзистора при холостом ходе на входе. 20.Основные характеристики транзисторов, таблица основных параметров.
Входной характеристикой для схемы с общей базой является зависимость входного тока IЭ от входного напряжения UЭБ при фиксированном выходном напряжении UКБ IЭ = f(UЭБ) при UКБ=const (5.6).Эта характеристика при Uкб=0 подобна вольт-амперной характеристике полупроводникового диода, смещенного в прямом направлении. При подаче положительного коллекторного напряжения Uкб>0 характеристика смещается влево. Это свидетельствует о наличии в транзисторе внутренней обратной связи. б) выходными характеристиками транзистора по схеме с ОБ являются зависимости выходного тока коллектора Iк от выходного напряжения Uкб при постоянном входном токе Iэ Iк =f(U кб)|Iэ =const (5.7). *При Iэ =0 характеристика совпадает с обратной ветвью диода, течет тепловой ток коллекторного перехода Iк0.П ри Uкб=0 и Iэ > 0 ток коллектора Iк ≠ 0, т.к. основные носители области эмиттера, инжектированные в базу, дрейфуют через коллекторный p-n -переход в область коллектора. в) характеристика прямой передачи тока представляет собой зависимость выходного тока коллектора Iк от входного тока эмиттера IЭ при постоянном значении выходного напряжения Uкб IК = f(Iэ)|Uкб (5.8). Так как α < 1, то угол отклонения характеристики от оси абсцисс меньше 45. При Uкб > 0 характеристика отклоняется к биссектрисе угла, т.к. в результате модуляции базы ток коллектора Iк при постоянном токе эмиттера Iэ увеличивается из-за уменьш толщины базы.
21.Характеристики с ОЭ (входные, выходные, прямой передачи тока). Входной харкой транзистора, включенного по схеме с ОЭ, является зависимость входного тока Iб от напряжения Uбэ, Iб =f(Uбэ) при заданном напряжении Uкэ. (5.9,а). При Uкэ =0 тепловой ток Iк0 в цепи К отсутствует и зависимость IБ =f(Uбэ) соответствует ВАХ р-n –перехода, включенного в прямом направлении. При Uкэ>0 в цепи К появляется ток - Iк0, направленный навстречу току Iб. Для компенсации этого тока в цепи базы нужно создать ток Iб= Iк0, приложив соответствующее напряжение Uбэ. Это приводит к смещению входной харки вправо вниз.*Выходной харкой транзистора по схеме с общим э наз зависимость Iк = f(Uкэ) при заданном токе Iб (5.9,б). Если Iб=0, в цепи К протекает только тепловой ток, так как в этом случае инжекция отсутствует. При Uкэ =0 ток в цепи К не проходит, это объясняется тем, что Uбэ и Uкэ направлены встречно друг другу, т.е. потенциал К выше потенциала Б, и коллекторный переход закрыт. при Uк = 0, Iк = 0, так как разность потенциалов на коллекторном переходе равна нулю;в) кривая при Iб = 0 соответствует режиму с оборванной базой. *Харки прямой передачи тока приведены на рисунке 5.10:а) кривые составляют значительно больший угол наклона, чем с ОБ.б) отклонение харак от прямолинейного закона с увеличением тока базы объясняется снижением времени жизни неосновных носителей в базе с ростом уровня инжекции;в) смещение харк в зависимости от Uкэ есть следствие модуляции ширины базы и соответственно роста тока К при уменьшении .
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||
Последнее изменение этой страницы: 2017-01-27; просмотров: 343; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 18.119.143.4 (0.005 с.) |