Лабораторная работа. Исследование характеристик и высокочастотных свойств диода

Введение

Настоящие методические указания к лабораторному практикуму предназначены для студентов, изучающих курс «Электроника и схемотехника аналоговых устройств 1». Лабораторные работы выполняются на стендах фирмы «DEGEM sistems». Основными целями данного цикла лабораторных работ являются:

- закрепить теоретические знания, полученные студентами при изучении материала учебников и лекционного материала;

- выработать умение определять параметры активных компонентов схем в дискретном исполнении и разрабатывать на их базе электронные схемы, проводить анализ электронных схем, в том числе с помощью машинных программ на ЭВМ; с помощью анализа и экспериментальных исследований оптимизировать схемы путем варьирования параметров компонентов и повторных расчетов.

В процессе подготовки к лабораторному практикуму каждый студент должен: изучить соответствующие разделы конспекта лекций и рекомендованной литературы, по необходимости выполнить расчеты компонентов схемы по исходным данным.

Отчет должен содержать:

• цель и задание работы;

• справочные данные исследуемых приборов;

• результаты проделанной работы (экспериментальные данные, расчеты, графики и др.);

• выводы по работе;

• список использованной литературы.

Отчет оформляется по ФС РК 10352 – 1910 - У - е - 001 - 2002. Работы учебные. Общие требования к построению, изложению, оформлению и содержанию должны соответствовать этому стандарту.

Лабораторная работа. Исследование характеристик и высокочастотных свойств диода

Цель работы:

- снятие и анализ вольтамперных характеристик (ВАХ) прямого и обратного включения полупроводникового диода;

- исследование и анализ явления накопления неравновесных носителей в области базы.

1.1 Рабочее задание

1.1.1 Собрать схему для снятия характеристики прямого включения полупроводникового диода согласно рисунку 1.1.

1.1.2 Измерить сопротивление R1.

1.1.3 Снять и построить ВАХ прямого включения диода.

1.1.4 Собрать схему для снятия характеристики обратного включения полупроводникового диода согласно рисунку 1.2.

1.1.5 Снять и построить ВАХ обратного включения диода.

1.1.6 Исследовать схему однополупериодного выпрямителя и проанализировать явление накопления неравновесных носителей в области базы;

Лабораторная работа. Исследование характеристики стабилитрона и простейшего стабилизатора напряжения

Цель работы:

- снятие и анализ вольтамперной характеристики стабилитрона;

- исследование схемы простейшего параметрического стабилизатора напряжения.

2.1 Рабочее задание

2.1.1 Снять и построить ВАХ стабилитрона (при отключенной нагрузке).

2.1.2 Исследовать схему параметрического стабилизатора напряжения и построить ВАХ при различных сопротивлениях нагрузки.

2.1.3 Рассчитать коэффициенты стабилизации при различных сопротивлениях нагрузки.

Лабораторная работа. Исследование биполярного транзистора

Цель работы:

- снятие входных и выходных ВАХ биполярного транзистора;

- графическое определение h- параметров транзистора.

3.1 Рабочее задание

3.1.1 Снять и построить входную характеристику транзистора

I_б = f(U_бэ) при коллекторном напряжении U_кэ =0В.

3.1.2 Снять и построить входную характеристику транзистора

I_б = f(U_бэ) при коллекторном напряжении U_кэ =5В.

3.1.3 Снять и построить входную характеристику транзистора

I_б = f(U_бэ) при коллекторном напряжении U_кэ =10В.

3.1.4 Снять и построить семейство выходных характеристик транзистора I_к =f(U_кэ) при изменении базового тока от 0 до 100 мкА.

Лабораторная работа. Исследование тиристора

Цель работы:

- снятие вольтамперных характеристик тиристора;

- определение параметров тиристора.

4.1 Рабочее задание

4.1.1 Снять и построить ВАХ тиристора I_а=f(U_ак) при значениях управляющего тока от 1 до 10мА

4.1.2 Измерить величину анодного тока удержания.

Цель работы

- исследование вольтамперных характеристик и сопротивления канала полевого транзистора с управляющим р-n переходом.

6.1 Рабочее задание:

6.1.1 Снять семейство стоковых характеристик полевого транзистора.

6.1.2 Снять семейство стоко-затворных характеристик полевого транзистора.

6.1.3 Измерить сопротивление канала полевого транзистора.

Список литературы

1. Лачин В.И., Савёлов Н.С. Электроника: учеб. пособие –Ростов н/Д: Феникс, 2009.-703, (1) с.- (Высшее образование).

2.Опадчий Ю.Ф., Глудкин О.П., Гуров А.И. Аналоговая и цифровая электроника: Учебник для ВУЗов – М.: Радио и связь, 1996. – 786 с.

3. Прянишников В.А. Электроника: Курс лекций. – СПб.: Корона-принт, 2004. – 416 с.

Содержание

Введение 4

Лабораторная работа № 1 Исследование характеристик

и высокочастотных свойств диода 5

Лабораторная работа № 2 Исследование характеристики

стабилитрона и простейшего стабилизатора напряжения 7

Лабораторная работа № 3 Исследование биполярного транзистора 10

Лабораторная работа № 4 Исследование тиристора 14

Лабораторная работа № 5 Исследование фототранзисторного

оптрона 17

Лабораторная работа № 6 Исследование полевого

транзистора с управляющим р-п переходом 21

Список литературы 24

 

Введение

Настоящие методические указания к лабораторному практикуму предназначены для студентов, изучающих курс «Электроника и схемотехника аналоговых устройств 1». Лабораторные работы выполняются на стендах фирмы «DEGEM sistems». Основными целями данного цикла лабораторных работ являются:

- закрепить теоретические знания, полученные студентами при изучении материала учебников и лекционного материала;

- выработать умение определять параметры активных компонентов схем в дискретном исполнении и разрабатывать на их базе электронные схемы, проводить анализ электронных схем, в том числе с помощью машинных программ на ЭВМ; с помощью анализа и экспериментальных исследований оптимизировать схемы путем варьирования параметров компонентов и повторных расчетов.

В процессе подготовки к лабораторному практикуму каждый студент должен: изучить соответствующие разделы конспекта лекций и рекомендованной литературы, по необходимости выполнить расчеты компонентов схемы по исходным данным.

Отчет должен содержать:

• цель и задание работы;

• справочные данные исследуемых приборов;

• результаты проделанной работы (экспериментальные данные, расчеты, графики и др.);

• выводы по работе;

• список использованной литературы.

Отчет оформляется по ФС РК 10352 – 1910 - У - е - 001 - 2002. Работы учебные. Общие требования к построению, изложению, оформлению и содержанию должны соответствовать этому стандарту.

Лабораторная работа. Исследование характеристик и высокочастотных свойств диода

Цель работы:

- снятие и анализ вольтамперных характеристик (ВАХ) прямого и обратного включения полупроводникового диода;

- исследование и анализ явления накопления неравновесных носителей в области базы.

1.1 Рабочее задание

1.1.1 Собрать схему для снятия характеристики прямого включения полупроводникового диода согласно рисунку 1.1.

1.1.2 Измерить сопротивление R1.

1.1.3 Снять и построить ВАХ прямого включения диода.

1.1.4 Собрать схему для снятия характеристики обратного включения полупроводникового диода согласно рисунку 1.2.

1.1.5 Снять и построить ВАХ обратного включения диода.

1.1.6 Исследовать схему однополупериодного выпрямителя и проанализировать явление накопления неравновесных носителей в области базы;