Тесты промежуточного контроля по электронной технике для специальности 200504

Тесты промежуточного контроля по электронной технике для специальности 200504

«Стандартизация и сертификация в пищевой промышленности»

 

Полупроводник от металла и диэлектрика отличается

1) плотностью

2) электрической проводимостью

3) магнитной проницаемостью

Примесный атом или дефект кристаллической решётки, создающий энергетический уровень, занятый электроном и способный отдать электрон в зону проводимости, называется

1) донором

2) акцептором

3) легирующей примесью

 

Примесный атом или дефект кристаллической решётки, создающий энергетический уровень, свободный от электрона и способный захватить электрон из валентной зоны, называется

1) донором

2) акцептором

3) легирующей примесью

 

К полупроводниковым веществам относятся

1) железо

2) кремний

3) сурьма

 

К проводниковым материалам относятся

1) индий

2) германий

3) медь

 

К диэлектрикам относятся

1) эбонит

2) кремний

3) мышьяк

 

К пятивалентным легирующим примесям относятся

1) алюминий

2) сурьма

3) германий

 

К трёхвалентным легирующим примесям относятся

1) железо

2) кремний

3) галлий

 

Добавление примесей в полупроводниковые материалы называется

1) собственной проводимостью полупроводника

2) легированием

3) диффузной проводимостью

 

Область на границе двух полупроводников, один из которых имеет электронную, а другой – дырочную проводимость, называется

1) катодом

2) анодом

3) p-n переходом

 

Полупроводниковый прибор с одним p-n переходом называется

1) транзистором

2) тиристором

3) диодом

 

Полупроводниковый прибор с двумя p-n переходами называется

1) транзистором

2) диодом

3) резистором

 

Полупроводниковый прибор с двумя выводами, в котором используется зависимость электрического сопротивления полупроводника от напряжения, температуры и других управляющих параметров, называется

1) транзистором

2) полупроводниковым диодом

3) полупроводниковым резистором

 

Полупроводниковый прибор, сопротивление которого мало зависит от напряжённости электрического поля и плотности электрического тока в широком диапазоне напряжений и токов, называется

1) линейным резистором

2) варистором

3) тензорезистором

 

Полупроводниковый резистор, сопротивление которого зависит от приложенного напряжения, и вольтамперная характеристика которого нелинейна, называется

1) термистором

2) позистором

3) варистором

 

Полупроводниковый резистор, в котором используется зависимость электрического сопротивления полупроводника от температуры, называется

1) позистором

2) терморезистором

3) варистором

 

Полупроводниковый резистор, сопротивление которого зависит от освещённости, называется

1) термистором

2) позистором

3)* фоторезистором

 

Полупроводниковый резистор, в котором используется зависимость электрического сопротивления от механических повреждений, называется

1) тензорезистором

2) позистором

3) варистором

 

Полупроводниковый диод, напряжение на котором в области электрического пробоя слабо зависит от тока и который служит для стабилизации напряжения, называется

1) выпрямительным диодом

2) туннельным диодом

3) стабилитроном

 

Полупроводниковый диод, в котором используется зависимость ёмкости p-n перехода от обратного напряжения и который предназначен для применения в качестве элемента с электрически управляемой ёмкостью, называется

1) выпрямительным диодом

2) варикапом

3) стабилитроном

 

Полупроводниковый прибор, в котором в режиме прямого тока в зоне p-n перехода возникает видимое или инфракрасное излучение, называется

1) фотодиодом

2) полупроводниковым фотоэлементом

3) светодиодом

 

Биполярный транзистор предназначен для

1) выпрямления переменного тока

2) стабилизации напряжения

3) усиления мощности

 

Области биполярного транзистора называются

1) эмиттер, база, коллектор

2) катод, база, анод

3) эмиттер, база, анод

 

Микроэлектронное изделие, пассивные элементы которого выполнены посредством нанесения различных плёнок на поверхности диэлектрической подложки из стекла, керамики, ситалла или сапфира, а активные элементы представляют бескорпусные полупроводниковые приборы, является

1) полупроводниковой интегральной микросхемой

2) гибридной интегральной микросхемой

3) полупроводниковым элементом

 

Тесты промежуточного контроля по электронной технике для специальности 200504

«Стандартизация и сертификация в пищевой промышленности»