Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь FAQ Написать работу КАТЕГОРИИ: ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву
Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Измерение температуры с помощью диодовСодержание книги
Похожие статьи вашей тематики
Поиск на нашем сайте
И транзисторов
Термодиоды и термотранзисторы находят применение в датчиках температуры, работающих в диапазоне от –80 до +150 ºС. Верхняя граница температурного диапазона ограничивается тепловым пробоем p-n перехода и для некоторых кремниевых датчиков достигает 500 ºС. Нижняя граница температурного диапазона определяется уменьшением концентрации основных носителей и может достигать для датчиков из Ge – (240 – 260) ºС, из Si – (–200 ºС). Связь между током I через p-n переход и падением напряжения U на нем определяется уравнением
I = I0e-B/T(eqU/(kT) – 1), (3.7)
где I0e-B/T = Iнас – ток насыщения, зависящий от температуры Т; I0 – ток насыщения при Т → ∞; q – заряд электрона; k – постоянная Больцмана. Это уравнение определяет ток через p-n переход как при прямом, так и при обратном смещении. Учитывая, что при Т = 300 К kT/q = 26 мВ, при напряжениях на переходе
Iпр = I0 e-B/T eqU/(kT), Iобр = I0e-B/T. (3.8)
Прямой и обратный токи являются функциями температуры, однако для измерения температуры чаще используются открытые p-n переходы. Падение напряжения на открытом переходе при токе I через переход определяется формулой
U = [kT ln(I/I0) + kB]/q, (3.9)
из которой видно, что U линейно зависит от Т и уменьшается с увеличением температуры (I0 >> I). Температурная чувствительность p-n перехода по напряжению составляет 1,5 – 2,5 мВ/К. Сравнивая эту величину с чувствительностью термопар, видно, что p-n переходы в 100 раз чувствительнее термопар. Используемые для измерения температуры элементы – диоды и транзисторы, включенные по схеме диода (коллектор замкнут на базу), питаются постоянным током I в прямом направлении, напряжение U на выводах, зависящее от температуры, является выходной электрической величиной датчиков, изображенных на рис. 3.1. Микроэлектронная технология дает возможность изготовить оба транзистора датчика, изображенного на рис. 3.1,в, в виде интегральной схемы на одном кристалле.
Конструкции и параметры датчиков температуры Термопары Диапазон температур, в котором применима термопара, ограничиваются при низких температурах снижением термоэлектрической способности, а при высоких – опасностью проникновения примесей из внешней среды, испарением одного из компонентов сплава термопары, рекристаллизацией, плавлением и др. В табл. 3.1 указаны рабочие диапазоны температур для термопар основных типов и точность стандартных термопар. Максимальная рабочая температура будет тем ниже, чем тоньше проволока. У термопар типов B, R, S проволока должна быть изолирована от металлического корпуса слоем окиси алюминия для предотвращения диффузии паров металла оболочки в проводники термопары. Если термопара облучается потоком нейтронов, нельзя применять металлы, в которых могут произойти ядерные превращения, например, родий и медь; железо и никель в этих условиях стабильны.
а б в
Рис. 3.1. Элементы, используемые в качестве датчиков температуры: а – диод; б – транзистор, включенный по схеме диода; в – пара транзисторов, включенных по схеме диода
Спай термопары должен иметь малый объем, чтобы не было неравномерностей температуры в различных точках. Чтобы избежать контакта за пределами измерительных спаев, проволока пропускается через керамические изоляторы, которые должны быть химически инертными и иметь большое сопротивление при высокой температуре. Таблица 3.1
Основные типы термопар и их технические характеристики
Отечественной промышленностью выпускаются следующие типы термопар: хромель – копель, тип ТХК; хромель – алюмель, тип ТХА; платинородий (10 %) – платина, тип ТПП; платинородий (30 %) – платинородий (6 %), тип ТПР; вольфрам-рений (5 %) – вольфрам-рений (20 %), тип ТВР. Градуировочные таблицы для этих термопар приведены в ГОСТ Р 8.585 – 2001. Рабочий спай термопары может быть открытым или закрытым (защищенным от окружающей среды), что увеличивает тепловую инерционность термопары. Тепловая инерционность термопары определяется постоянной времени, для этого она погружается в воду с температурой, отличной от температуры окружающей среды. Постоянная времени – это время, в течение которого температура термопары изменится на 63 % (в е раз). Постоянная времени промышленных термопар составляет от 5 до 180 с. Значительно снизить постоянную времени позволяют тонкопленочные термопары, полученные соединением двух пленок разных металлов. Такие термопары бывают двух типов типов: в виде пленок на съемном носителе и в виде матрицы с датчиком, встроенным в тонкий многослойный материал. Толщина металлической фольги, используемой в таких термопарах, составляет около 5 мкм, это объясняет малое значение постоянной времени таких термопар – 10 мс.
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Последнее изменение этой страницы: 2016-08-26; просмотров: 869; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 216.73.216.16 (0.01 с.) |