Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь КАТЕГОРИИ: АрхеологияБиология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия Экология ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Основные параметры фильтров на пав, методы внешнего и комбинированного взвешивания импульсной характеристики фильтров на пав.
На принципах функциональной электроники, а именно на использовании динамических неоднородностей, можно построить фильтры не только на основе ПЗС, но и акустоэлектронные, основанные на применении поверхностных акустических волн. Рабочий диапазон частот фильтров на ПАВ находится в пределах от 1 до 103 МГц. Отметим важную особенность фильтров на ПАВ: они являются дискретными аналогично фильтрам на ПЗС. Действительно, электрическое поле действует на пьезоэлектрик, вызывая неоднородность, в виде дискретных участков сжатия или растяжения, где расположены пары штырей преобразователя. Наиболее часто основные функции по формированию частотной характеристики выполняет входной преобразователь, а выходной является широкополосным. Как показывает опыт, при этом меньше проявляются искажения частотной характеристики. Суммарная амплитудно-частотная характеристика (АЧХ) фильтра K ф(ω) определяется произведением частотных характеристик обоих преобразователей:
поэтому детальное рассмотрение АЧХ можно проводить для каждого преобразователя в отдельности. Совокупность весовых коэффициентов определяет импульсную характеристику фильтра, т.е. его входной сигнал при воздействии на вход единичного импульса.
Методы микромонтажа (сборки, корпусирования) микроэлектронных компонентов Микромонтаж кристаллов начинается после создания ИМС в пластине (после электрического зондового контроля ИМС в составе пластин и контроля по внешнему виду). Основными операциями микромонтажа являются: 1) разделение пластин на модули; 2) контроль по внешнему виду и разбраковка; 3) посадка кристаллов ИМС в корпус или на коммутационную плату; 4) электрическое соединение выводов КП кристалла с КП корпуса или платы. Установка (крепление) кристаллов ИМС на коммутационную плату ГИФУ зависит от необходимости электрического соединения основания посадки с телом кристалла и эффективного теплоотвода. Аналогичным образом применяется бесфлюсовая вибрационная пайка кристаллов ИМС с использованием в качестве припоя легкоплавких металлов и сплавов. При сборке корпусных и бескорпусных ИМС, а также отдельных радиокомпонентов на платы ГИФУ в настоящее время возникает ряд проблем, вызванных, прежде всего возрастающим многообразием типов ИМС и компонентов, а также типов коммутационных плат, дефицитом необходимых для групповой технологии компонентов, несовершенным программным обеспечением, длительным производственным циклом, ошибками при ручной сборке.
Существует два основных конструктивно-технологических решения: 1)корпусирование ИМС на уровне кристалла (корпусные ИМС); 2) корпусирование ИМС на уровне ГИФУ, ячейки или блока МЭА (бескорпусные ИМС). К настоящему времени, несмотря на многочисленные варианты использования жестких организованных выводов для автоматизированной сборки бескорпусных ИМС, наиболее широкое применение находят два направления: 1) сборка с использованием объемных (шариковых, столбиковых) выводов (ОВ) или методом перевернутого кристалла с ОВ (рис. При сборке ИМС методом перевернутого кристалла контроль совмещения подложки и ОВ осуществляется оптическим путем с помощью полупрозрачного зеркала.
Основные процессы в производстве микроэлектронных компонентов: технологический процесс, как большая система, общая классификация базовых технологических процессов в производстве микроэлектронных компонентов Технологический процесс (ТП) (сокращенно техпроцесс) — это упорядоченная последовательность взаимосвязанных действий, выполняющихся с момента возникновения исходных данных до получения требуемого результата.. Любой технологический процесс (ТП) можно представить в виде большой системы (рисунок 2.3). Здесь - Х1, Х2...ХN - входы системы (подложки, пластины, испаряемые материалы, диффузанты и др.). Это параметры исходных продуктов. У1,У2...УN - выходы системы (параметры ИС или ее части). Это выходные параметры конечного продукта. Z1,Z2...ZN - контролируемые и управляемые факторы (температура подложек, давление в камере, расход газа и т.д.). Это факторы, возмущающие технологический процесс. W1,W2...WN - неконтролируемые факторы, оказывающие случайное возмущающее действие на процесс (состав остаточной атмосферы). Это влияющие технологические факторы. ТП изготовления современных ИМЭ настолько сложны, в большинстве случаев они изучаются с помощью экспериментально-статистических методов, которые позволяют определить наиболее существенные технологические факторы, определить характер их влияния на качество изделий и построить модель исследуемого процесса. Среди методов анализа ТП наиболее широко используются:
- дисперсионный анализ; - регрессионный и корреляционный анализ; - математическое планирование эксперимента. Технологический маршрут - последовательность технологических операций обработки пластин или подложек, применяемых для изготовления данного типа ИМЭ. Документом, содержащим описание маршрута, является маршрутная карта. Технологический процесс производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем (микропроцессоров, модулей памяти и др.) включает нижеследующие операции. · Механическую обработку · Химическую обработку · Эпитаксиальное наращивание слоя полупроводника · Получение маскирующего покрытия · Фотолитография · Введение электрически активных примесей в пластину для образования отдельных p- и n-областей · Получение омических контактов и создание пассивных элементов на пластине · Добавление дополнительных слоев металла · Пассивация поверхности пластины · Разделение пластин на кристаллы
|
||||||||
Последнее изменение этой страницы: 2016-08-16; просмотров: 878; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 3.139.82.23 (0.006 с.) |