Выходами, способными находиться в выключенном высокоимпедансном состоянии – Z.

1.24.3. Выходами с открытым коллектором или с открытым стоком для обеспечения высокого пассивного уровня сигнала.

 

1.25. Расчёт сопротивления Pull-Up резистора для цепи, управляемой выходом с открытым коллектором, производится:

1.25.1. Исходя из минимизации задержки переключения сигнала из состояния «0» в состояние «1» (+ логика), а если эта задержка не важна, то исходя из минимизации электрической мощности.

Исходя из минимизации тока через наиболее слабый выход, подключённый к цепи.

1.25.3. Исходя из минимизации задержки переключения сигнала из состояния «1» в состояние «0» (+ логика), а если эта задержка не важна, то исходя из минимизации электрической мощности.

1.26. Многоэмиттерный транзистор используется:

В выходном каскаде элемента И-НЕ ТТЛ

Во входном каскаде элемента ИЛИ ТТЛ

1.26.3. Во входном каскаде элемента И ТТЛ.

 

1.27. Выход с тремя состояниями может выдавать значения из набора:

Z

X

1.27.3. 0,1,Z

 

1.28. Выход с тремя состояниями предназначен для:

1.28.1. Поочерёдного управления одной линией связи (цепью) несколькими источниками сигнала, при этом управлять линией может только один выход, либо все выходы находятся в выключенном состоянии Z.

Одновременного управления одной линией связи (цепью) несколькими источниками сигнала, при этом управлять линией могут несколько выходов, обеспечивая более мощный уровень сигнала для передачи по длинным цепям.

Эмуляции устаревшего выхода с открытым коллектором в тех схемах, где невозможно избежать применения разделяемых линий связи.

1.29. Резистор PullUp на разделяемой линии связи, управляемой выходами с тремя состояниями:

Не является необходимым, из-за того, что выходы способны сами выдавать высокий активный уровень сигнала.

1.29.2. Необходим на цепях управления обменом данными для обеспечения пассивного уровня слабой «1» во избежание ложных срабатываний схемы.

Необходим для минимизации задержки перехода сигнала из состояния «0» в состояние «1».

 

1.30. Выбор сопротивления резистора PullUp на разделяемой линии связи, управляемой выходами с тремя состояниями:

1.30.1. Производится из соображений помехоустойчивости работы схемы при минимальных потерях активной мощности.

Производится, исходя из минимизации задержки перехода сигнала из состояния «0» в состояние «1».

Производится, исходя из нагрузочной способности самого слабого выхода, подключённого к этой цепи.

 

Вторая часть курса. Организация средств вычислительной техники на уровне функциональных элементов и узлов современных СБИС

2.1. Контактные площадки кристалла СБИС предназначены для:

2.1.1. Подключения к выводам корпуса, в который упакован кристалл, с целью подвода питающих напряжений и ввода и вывода сигналов.

Подключения диагностической аппаратуры.

Отведения тепла от кристалла СБИС.

 

2.2. Блоки ввода-вывода кристалла СБИС предназначены для:

Временной буферизации данных, в случае занятости ядра СБИС.

Способности СБИС работать на разных уровнях напряжения.

2.2.3. Преобразования уровней напряжения и мощности сигналов между внешней средой и ядром СБИС, а также для синхронизации сигналов и высокоскоростной последовательной передачи.

 

2.3. Ядро кристалла СБИС реализует:

2.3.1. Выполнение всех основных функций СБИС.

2.3.2. Операции обработки и преобразования данных.

Операции временного хранения данных.

 

2.4. В ядре СБИС не располагают следующие ресурсы кристалла:

Триггеры и регистры.

2.4.2. Приёмопередатчики дифференциальных сигналов LVDS.

Аппаратные блоки умножения.

2.5. В блоках ввода-вывода располагают следующие ресурсы кристалла СБИС:

Сдвиговые регистры.

2.5.2. Регистры и тристабильные буферы.

Ресурсы комбинационной логики.

 

2.6. Ресурсы общего назначения, присутствующие в любой СБИС включают:

2.6.1. Логические элементы, регистры, блоки памяти.

Аппаратные блоки управления тактовой частотой.

Контроллер интерфейса JTAG.

 

2.7. Сущность с простым поведением осуществляет: