Контакт между полупроводниками одного типа электропроводности

Контакт полупроводников с одним типом электропроводности, но с разной концентрацией примесей обозначают р⁺-р или п⁺-п (знаком "плюс" отмечается полупроводник с большей концентрацией примесей). В таких контактах носители из области с большей концентрацией примеси переходят в область с меньшей концентрацией. При этом в области с повышенной концентрацией нарушается компенсация зарядов ионизированных атомов примеси, а в другой области создается избыток основных носителей зарядов. Образование этих зарядов приводит к появлению на переходе собственного электрического поля и контактной разности потенциалов, определяемой следующими соотношениями: для p⁺-р перехода

;

для n⁺-n перехода .

В этих переходах не образуется слой с малой концентрацией носителей зарядов, и их сопротивление определяется в основном сопротивлением низкоомной области. Поэтому при прохождении тока непосредственно на контакте падает небольшое напряжение и выпрямительные свойства этих переходов не проявляются. В p⁺-p и n⁺-n - переходах отсутствует инжекция неосновных носителей из низкоомной области в высокоомную. Если, например, к переходу n⁺-n подключен источник тока плюсом к n -области, а минусом к n⁺ -области, то из n⁺ -области в n -область будут переходить электроны, являющиеся в ней основными носителями зарядов. При изменении полярности внешнего напряжения из n⁺ -области в n -область должны инжектироваться дырки, однако их концентрация мала, и этого явления не происходит. Переходы типа p⁺-p и n⁺-n возникают при изготовлении омических контактов к полупроводникам.

Рис. 1.18 Энергетическая диаграмма p-i перехода.

Промежуточное положение между p⁺-p - или n⁺-n - и p-n переходом занимают p -i и n-i переходы. Такие переходы образуются между двумя пластинами, одна из которых имеет электронную или дырочную электропроводность, а другая - собственную.

На рис 1.18 показаны энергетическая диаграмма и изменение концентраций на границе двух полупроводников с p - и i -областями. Вследствие разности концентраций носителей зарядов в p - и i -областях происходит инжекция дырок из p -области в i -область и электронов из i -области в p -область. Вследствие малой величины инжекционной составляющей электронного тока потенциальный барьер на границе перехода создается неподвижными отрицательными ионами акцепторов р -области и избыточными дырками i -области, диффундирующими в нее из p -области. Поскольку >> , глубина распространения запирающего слоя в i -области значи­тельно больше, чем в р -области.