Коефiцiєнт зворотного зв'язку по напрузi

, при I ₁ = const (2.3)

показує, яка частина вихiдної змiнної напруги передається на вхiд транзистора внаслiдок наявностi в ньому внутрiшнього зворотного зв'язку.

Умова I ₁ = const в даному випадку пiдкреслює, що у вхiдному колi немає перемiнного струму, тобто це коло розiмкнуте для перемiнного струму, а тому змiна напруги на входi D U₁ є результатом змiни лише вихiдної напруги D U ₂.

Як було вказано вище, в транзисторi завжди iснує внутрiшнiй зворотний зв'язок за рахунок того, що електроди транзистора мають електричне з'єднання мiж собою, i за рахунок опору бази. Цей зворотний зв'язок iснує на любiй низькiй частотi, навiть при f = 0, тобто на постiйному струмi.

Для схеми з СБ

при I _е = const.

Для схеми з СЕ

, при I _б = const;

Коефiцiєнт передачi струму

, при U ₂ = const (2.4)

показує пiдсилення перемiнного струму транзистором в режимi роботи без навантаження.

Умова U ₂ = const, тобто R _н = 0, i в цьому випадку задається для того, щоб змiна вихiдного струму I ₂ залежала лише вiд змiни вхiдного струму I ₁. Саме при виконаннi цiєї умови параметр буде дiйсно характеризувати пiдсилення струму самим транзистором. Якби вихiдна напруга змiнювалась, то вона впливала б на вихiдний струм i по змiнi цього струму вже не можна було б правильно оцiнити пiдсилення.

Для схеми з СБ

, при U _кб = const

характеризує передачу струму емiтера i для бiльшостi транзисторiв складає 0,95...0,995. В схемi з СЕ , при U _ке = const характеризує передачу струму бази i складає десятки–сотнi;

Вихiдна провiднiсть

, при I ₁ = const (2.5)

являє собою внутрiшню провiднiсть для перемiнного струму мiж вихiдними затискачами транзистора.

Струм I ₂ повинен змiнюватися лише пiд впливом змiни вихiдної напруги U ₂. Якщо при цьому струм I ₁ не буде постiйним, то його змiни приведуть до змiн струму I ₂ i значення буде визначено невiрно.

Величина вимiрюється в сименсах (См) i для схем з СБ складає

, при I _е = const.

В схемi з СЕ

, при I _б = const.

Але провiднiсть в практичних розрахунках використовується значно рiдше, нiж опiр, тому частiше застосовується вихiдний опiр , який вимiрюється в омах або в кiлоомах.

В табл. 1 для схем СБ i СЕ приводяться значення h – параметрiв, причому замiсть використовується вихiдний опiр .

Знаходяться h – параметри по характеристикам для заданої робочої точки згiдно приведених вище формул.

Малосигнальнi h – параметри залежать вiд вибраного режиму роботи транзистора, який задається подачею початкових напруг змiщення на емiтерний i колекторний переходи. Цi напруги визначають положення початкової робочої точки на статичних характеристиках. Для вибраного режиму роботи h – параметри визначають по сiмействам вхiдних i вихiдних характеристик.

 

Параметр	Схема СБ	Схема СЕ
h 11	Одиниці–десятки Ом	Одиниці–десятки кОм
h 12	10^–3–10^–4	10^–3–10^–4
h 21	0,95–0,998 ()	Десятки–сотни ()
h 22	Сотни кОм	Одиниці–десятки кОм

 

Розглянемо загальну методику визначення h – параметрiв транзистора. Насамперед необхiдно переписати систему лiнiйних рiвнянь (2.1) активного чотирьохполюсника згiдно вибраної схеми включення транзистора. При цьому треба пам'ятати, що параметри i визначаються на сiмействах вхiдних характеристик, а параметри i – на сiмействах вихiдних характеристик.

Наприклад, для транзистора n-p-n – типу по схемi з СЕ система лiнiйних рiвнянь (2.1) має вигляд:

 

. (2.6)

 

З цiєї системи рiвнянь треба записати аналiтичний вираз необхiдного h –параметра i умову, при якiй цей параметр визначається.

В даному прикладi, параметри i визначаються з першого рiвняння системи (2.6), а їх аналiтичнi вирази i умови записуються вiдповiдно як

 

, при U _ке = const ()

(2.7)

, при І _б = const

 

а параметри i визначаються з другого рiвняння системи (2.6), з якого записуються вiдповiдно їх аналiтичнi вирази i умови, при яких цi параметри визначаються:

 

, при

(2.8)

, при

На вiдповiдних сiмействах статичних характеристик знаходиться початкова робоча точка (ПРТ), причому ця точка позначається на вхiдних характеристиках для того ж режиму, що i на вихiдних характеристиках.

Нехай для схеми з СЕ ПРТ, наприклад, має координати (I _б ^² i U _ке^²). Знаходимо цю ПРТ на сiмействах вхiдних i вихiдних характеристик вiдповiдно.

Через знайдену ПРТ проводять лiнiю постiйного параметра (ЛПП), яка визначаїться з умови, при якiй обчислюється цей параметр.

В нашому випадку для параметра ЛПП є вхiдна характеристика, яка знята при U _ке, а для параметра – це лiнiя I _б (див. рис.). Для параметра ЛПП – це лiнiя U _ке= const, а для параметра – це вихiдна характеристика, яка знята при I_б = const (рис.).

Перемiщати ПРТ вздовж ЛПП в обидвi сторони вiд точки А до перетину з сусiднiми характеристиками (для – дiлянка ЕD на рис.; для – дiлянка ЕF на рис.) або в межах лiнiйної дiлянки характеристики, якщо вона служить ЛПП (для – дiлянка ВС на рис.; для – дiлянка GН на рис.).

При цьому визначаються необхiднi для обчислення h – параметрiв прирости струмiв i напруг, якi пiдставляються в вiдповiдний аналiтичний вираз (2.7 або 2.8).

В нашому випадку для обчислення маємо (див. рис. 2.2) прирости напруги бази i струму бази ; для маємо прирости напруги бази i напруги колектора D U _ке = .

Для обчислення маємо прирости струмiв i , а для обчислення прирости струму колектора i напруги колектора .

Пiсля пiдстановки знайдених приростiв у вiдповiднi аналiтичнi вирази обчислюються h – параметри, якi визначаються.

Для транзистора, включеного по СЕ, маємо:

 

сотні Ом – одиниці кОм, при ;

10^–3–10^–4, при І _б=const ();

, при U _ке = const ();

, при І _б = const ).

 

i одержанi результати повиннi вiдповiдати даним, якi приведенi в довiдниках.