Схемы включения транзистора с об, ОЭ, ок.

В зависимости от того, какой из выводов транзистора является общим между источником сигнала на входе и выходной цепью транзистора, существуют три основные схемы включения транзистора в электрическую цепь: с об, с оэ, с ок

 

19.Основные параметры транзисторов: а) физические б) һ-параметры.

по схеме с общей базой: а) коэффициент усиления по токуK_I=dIk/dIэ Ток не усиливается, Iвых < I вх, что является недостатком схемы;.

б) коэффициент усиления по напряжениюK_U=dUвых/aUвх=dIkRk/dIэRвх Так как всегда можно подобратьRk>>Rвх, тоK_U>>1; в) коэффициент усиления по мощностиKp=K_IK_U;г) входное сопротивление Rвх=dUэб/dIэ, малое входное сопротивление является недостатком схемы, так как оно закорачивает источник сигнала, т.е. требуется большой входной ток;д) выходное сопротивление Rвых =dUкб/dIк;е) фазовый сдвиг выходного напряжения равен нулю.* h11=dU1/dI1|U2=0 – входное сопротивление при коротком замыкании на выходе (по переменному току);h12=dU1/dU2|I1=0 – коэффициент обратной связи по напряжению при холостом ходе на входе (по переменному току), h21=dI2/dI1|U2=0– коэффициент передачи тока при коротком замыкании на выходе;h22=dI2/dU2|I1=0– выходная проводимость транзистора при холостом ходе на входе.

20.Основные характеристики транзисторов, таблица основных параметров.

Парам	ОЭ	ОБ	ОК
КI	b − дес– сот ед		дес – сот ед
КU	дес – сот ед	дес – сот тыс
КР	сот ед-дес тыс	дес– сот	дес– сот
RВХ	сот Ом–ед. кОм	ед – сот Ом	дес – сот кОм
RВЫХ	ед – дес кОм	Сот кОм – ед МОм	сотни Ом
j	π

Входной характеристикой для схемы с общей базой является зависимость входного тока I_Э от входного напряжения U_ЭБ при фиксированном выходном напряжении U_КБ I_Э = f(U_ЭБ) при U_КБ=const (5.6).Эта характеристика при U_кб=0 подобна вольт-амперной характеристике полупроводникового диода, смещенного в прямом направлении. При подаче положительного коллекторного напряжения U_кб>0 характеристика смещается влево. Это свидетельствует о наличии в транзисторе внутренней обратной связи. б) выходными характеристиками транзистора по схеме с ОБ являются зависимости выходного тока коллектора I_к от выходного напряжения U_кб при постоянном входном токе I_э I_к =f(U _кб)|I_э =const (5.7). *При I_э =0 характеристика совпадает с обратной ветвью диода, течет тепловой ток коллекторного перехода I_к0.П ри U_кб=0 и I_э > 0 ток коллектора I_к ≠ 0, т.к. основные носители области эмиттера, инжектированные в базу, дрейфуют через коллекторный p-n -переход в область коллектора. в) характеристика прямой передачи тока представляет собой зависимость выходного тока коллектора I_к от входного тока эмиттера I_Э при постоянном значении выходного напряжения U_кб I_К = f(I_э)|U_кб (5.8). Так как α < 1, то угол отклонения характеристики от оси абсцисс меньше 45. При U_кб > 0 характеристика отклоняется к биссектрисе угла, т.к. в результате модуляции базы ток коллектора I_к при постоянном токе эмиттера I_э увеличивается из-за уменьш толщины базы.

21.Характеристики с ОЭ (входные, выходные, прямой передачи тока).

Входной харкой транзистора, включенного по схеме с ОЭ, является зависимость входного тока I_б от напряжения U_бэ, I_б =f(U_бэ) при заданном напряжении U_кэ. (5.9,а). При U_кэ =0 тепловой ток I_к0 в цепи К отсутствует и зависимость I_Б =f(U_бэ) соответствует ВАХ р-n –перехода, включенного в прямом направлении. При U_кэ>0 в цепи К появляется ток - I_к0, направленный навстречу току I_б. Для компенсации этого тока в цепи базы нужно создать ток I_б= I_к0, приложив соответствующее напряжение U_бэ. Это приводит к смещению входной харки вправо вниз.*Выходной харкой транзистора по схеме с общим э наз зависимость I_к = f(U_кэ) при заданном токе I_б (5.9,б). Если I_б=0, в цепи К протекает только тепловой ток, так как в этом случае инжекция отсутствует. При U_кэ =0 ток в цепи К не проходит, это объясняется тем, что U_бэ и U_кэ направлены встречно друг другу, т.е. потенциал К выше потенциала Б, и коллекторный переход закрыт. при U_к = 0, I_к = 0, так как разность потенциалов на коллекторном переходе равна нулю;в) кривая при I_б = 0 соответствует режиму с оборванной базой. *Харки прямой передачи тока приведены на рисунке 5.10:а) кривые составляют значительно больший угол наклона, чем с ОБ.б) отклонение харак от прямолинейного закона с увеличением тока базы объясняется снижением времени жизни неосновных носителей в базе с ростом уровня инжекции;в) смещение харк в зависимости от Uкэ есть следствие модуляции ширины базы и соответственно роста тока К при уменьшении .