Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь КАТЕГОРИИ: АрхеологияБиология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия Экология ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
РПЗУ-ЭС на МНОП-транзисторах
Для построения памяти типа РПЗУ-ЭС широко используют транзисторы МНОП (от слов металл-нитрид-оксид-полупроводник) с двухслойным подзатворным диэлектриком. На поверхности кристалла находится тонкий слой диоксид кремния S/02, дальше — более толстый слой нитрида кремния S/3A/4, а затем уже металличе- Элемент памяти на МНОП-транзисторе работает в следующих режимах: программирования, хранения, считывания и стирания информации. Программированием называется процесс занесения заряда под затвор транзистора. При этом к затвору и-канального МНОП-транзистора, в котором создается заряд, прикладывают положительный импульс напряжения амплитудой около 20 В. Под действием сильного электрического поля электроны обретают достаточную энергию и туннелируют из подкладки через тонкий слой оксида толщиной около 5 нм в слой нитрида, где они захватываются "ловушками". В нитриде появляется неподвижный отрицательный заряд, выполняющий функцию носителя информации. Считают, что наличие заряда отображает лог. 0, а его отсутствие — лог. 1. Транзистор, в котором заряд отсутствует, открывается рабочим сигналом. В и-канальных МНОП- транзисторах заряд экранирует действие положительного напряжения на затворе и соответственно повышает пороговое напряжение настолько, что рабочий сигнал не может открыть транзистор
Итак, в зависимости от состояния транзистора при подаче на его затвор напряжения считывания UC4 (по координате Хх) в разрядной шине У, ток протекает или нет Усилитель считывания трансформирует состояние разрядной шины в выходное напряжение высокого (ток протекает) или низкого (ток отсутствует) уровней. Если транзистор имеет заряд в диэлектрике, то есть находится в состоянии лог. О, то для его перехода в состояние "1" накопленный заряд вытесняют из-под затвора отрицательным импульсом напряжения 30-40 В, который подается на затвор относительно подкладки. Такой процесс называют режимом стирания. РПЗУ на ЛИЗМОП-транзисторах
Запоминающий элемент типа ЛИЗМОП — это МОП-транзистор с индуцированным р- или /i-каналом. Металлический затвор этого транзистора размещен в толще диэлектрика (обычно диоксида кремния) и не имеет металлического вывода. Этот затвор называется плавающим (ПЗ). От кристалла ПЗ отделен диэлектриком толщиной 0,1 мкм
При наличии заряда на ПЗ образуется проводящий канал и транзистор открыт— это соответствует записи лог. 1; при отсутствии заряда транзистор закрыт (записан лог. 0). В режиме программирования на исток и сток транзистора относительно подкладки подается положительный импульс напряжения амплитудой 25 В. На обратно смещенных n-р-переходах исток- подкладка и сток-подкладка возникает процесс лавинной инжекции заряда (отсюда происходит обозначение транзистора ЛИЗМОП). Часть электронов попадает на ПЗ; в результате наложения на ПЗ отрицательного заряда пороговое напряжение на передаточной характеристике смещается в область более высокого уровня (сдвиг вправо), что соответствует записи лог. 0. Отсутствие зарядов электронов на ПЗ соответствует записи лог. 1. Стирание записанной информации состоит в вытеснении заряда из ПЗ. Эту операцию в транзисторах ЛИЗМОП осуществляют двумя методами: в группе РПЗУ-ЭС — импульсом напряжения, который подается на затвор; в группе РПЗУ-УФ— с помощью ультрафиолетового (УФ) облучения сквозь прозрачное стекло в крышке корпуса. В первом случае накопленные на ПЗ электроны вытесняются в подкладку электрическим полем и восстанавливается состояние "1". Во втором случае электроны рассасываются с ПЗ в подложку в результате усиления теплового движения за счет полученной от источника УФ-излучения энергии. Режим считывания осуществляется так же, как и в микросхеме РПЗУ на МНОП- транзисторах. В режиме хранения обеспечивается отсутствие напряжения на электродах ЭП с тем, чтобы исключить рассасывание заряда на ПЗ в диэлектрической среде. В энергонезависимой постоянной памяти широко используют режим импульсного питания: напряжение подается только на ту микросхему памяти, к которой имеется обращение. Это во много раз уменьшает энергопотребление, улучшает тепло вой режим ИМС и повышает их надежность.
Flash-память Флэш-память (Flash Memory) использует ЭП на транзисторах ЛИЗМОП с электрическим стиранием и записью информации. Она относится к постоянной памяти типа EEPROM, однако ряд архитектурных и функциональных особенностей позволили выделить флэш-память в отдельный класс. Флэш-память использует наряду с традиционными адресными и управляющими сигналами специальные команды. Информация в микросхемах флэш-памяти записывается и сохраняется в блоках определенного размера, иногда — назначения. При этом стирание информации осуществляется или для всей памяти сразу, или для больших блоков; это упрощает схемы ЭП. Флэш-память превосходит EEPROM в том, что не требует специальной аппаратуры для записи или стирания данных. Различают следующие виды флэш-памяти: • файловая флэш-память (Flash File) — массив ЭП разделен на блоки одинакового размера (симметричная архитектура); • флэш-память с несимметричной архитектурой (8oof Block) — массив ЭП разделен на блоки разного размера; один из блоков имеет аппаратные средства для защиты информации в нем; • флэш-память с возможностью стирания только всего массива ЭП (Bulk Erase)-, • флэш-память с возможностью записи информации при различных напряжениях программирования (Start Voltage); • память с использованием новых ЭП с четырьмя состояниями, которые хранят по два бита (Strata Flash).
• СЕ — выбор микросхемы; WE — разрешение записи, ОЕ — разрешение выдачи данных; • PWD — управление энергопотреблением: PWD = 1 — нормальная работа; PWD =0 — режим микропотребления (типовое значение тока / = 0,2 мкА, мощность потребления — 1 мВт) и блокировка операций записи и стирания; • URR — вход для подачи напряжения стирания блока или записи байта. Если Urr < UpR, то изменить данные невозможно; • UC(— напряжение питания плюс 5 В; • GND — корпус микросхемы. Выход RY / BY (Ready!Busy) показывает состояние автомата WSM. Если RY/BY = 1, то автомат занят, а если RY/BY = 0, то готов к приему новой команды. Операции в памяти выполняются после записи соответствующей команды: • "Чтение массива" (код FFH)\ • "Идентификатор" (код 90 Н). Вначале считывается код фирмы- производителя 89Я, затем код микросхемы А2Н. Эти коды позволяют автоматически определять алгоритм работы с памятью; • "Чтение регистра состояния" (код 70Н)\ • "Сброс регистра состояния "RGS' (код ЗОЯ); • "Установка стирания" (код 20//); "Подтверждение стирания" (код D0H). Команды следуют одна за одной; • "Приостановить стирание" (код ВОН); "Возобновить стирание" (код D0Я);
• "Установить запись байта" (код 40Я); "Запись".
|
|||||||||||
Последнее изменение этой страницы: 2016-08-06; просмотров: 554; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 54.196.27.171 (0.027 с.) |