Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь КАТЕГОРИИ: АрхеологияБиология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия Экология ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Напівпровідниковий тензодавач на основі гетероструктури (Te-GaAs)
Відомо, що р-п переходи є чутливими до деформацій, однак більш чутливими є напівпровідникові гетероструктури. Розроблений давач є сплавною гетероструктурою, що складається із центрального циліндричного тензорезистора TP і охоплюючого його коаксіального TP. Центральний TP виконаний із тугоплавкого напівпровідника (HK GaAs n-типу), а коаксіальний TP виконаний із легкоплавкого (трубчастий кристал Те р-типу). Сплавлення здійснюють пропусканням імпульсу струму через центральний TP. Параметри імпульсу (амплітуда, тривалість) забезпечують плавлення ннзькоплавкого TP. Кращі результати, як з точки зору керування режимами, так і якістю одержаних гетероструктур (коефіцієнт випрямлення), одержані при сплавленні напівпровідників за допомогою розряду конденсатора в атмосфері інертного газу. Рахуючи час (t) виділення теплоти Q адекватним часу її передачі низьконлавкому напівпровіднику шляхом теплопровідності і використовуючи рівняння теплопровідності для порожнистого циліндра: (12) де k - коефіцієнт теплопровідності (5 кал/см2 с-град), d1/d2 = 1,5 -відношення діаметрів порожнистого циліндра, Тпл = (723 K) - температура плавлення Те, визначаємо τ, який становить 3,5W6 с.
При дії деформації на обидва тензочутливі елементи їх кристалічні ґратки деформуються узгоджено, що збільшує корисний сигнал. Крім того, виникаючі дефекти зосереджуються у вузькому шарі р-n переходу, в результаті чого є перевищення чутливості у 4 рази. При використанні вказаних пар напівпровідників неузгодженість кристалічних ґраток становить 4,5 % (II до осі C) і 22,8 % (перп. до осі C), що забезпечує підвищену чутливість до поперечних деформацій, а також до гідростатичного тиску. Деякі гетероструктури (Te-Ge, Te-Si, Ge-GaAs, Si-GaAs) відомі як чутливі елементи фотодетекторів. Дана гетероструктура описана вперше. Переріз давача показаний нижче (рис.14), де 1-циліндричний TP, 2 - коаксіальний TP, 3 - р-n перехід.
Сенсор для одночасного вимірювання деформації і Температури
Відомі тензотермодавачі, виготовлені з металевих дротин, які містять тензочутливий елемент та охоплюючий його термочутливий елемент. Їх недоліком є низька чутливість та значні габарити. Більш мініатюрним є малобазний тензодавач з ниткоподібного кристала, який містить тензочутливі області n- і р-типу, і р-n перехід між ними, що використовується для вимірювання температури.
Розроблено сенсор, що містить тензочутливий елемент трубчастої форми 1, ізоляційне покриття 2, термочутливий елемент 3, струмопідводи до тензочутливого 4,5 і термочутливого 6,7 елементів. Схема включає також вимірювальний прилад 8, перемикач 9 (рис.15).
Рис. 15. Схема давана для одночасного вимірювання деформації та температури
Термочутливий елемент виготовляли з ниткоподібного кристала телуру трубчастої форми. Коефіцієнт його тензочутливості високий (>|100|) у широкому інтервалі температур. Як термочутливий елемент використовували HK GaP(0,4)As(0,6), легований сіркою, який як терморезистор працює в інтервалі температур 173-473 K. Перемикач 9 дозволяє використовувати один і той самий цифровий прилад 8 (В7-16) для вимірювання опорів елементів 1 і 3. Давачі повинні бути попередньо проградуйовані. Термочутливий елемент не зазнає впливу деформації, так як знаходиться у порожнині тензочутливого елемента, що підвищує точність вимірювання.
Багатофункціональний сенсор
Відомі багатофункціональні давачі для одночасного вимірювання декількох фізичних параметрів, наприклад, зусилля і температури, або тиску, температури і вологості. Чутливими елементами можуть бути ниткоподібні кристали кремнію, що спрощує конструкцію давачів, забезпечує мініатюризацію. Серед описаних давачів відсутні давачі для одночасного вимірювання таких параметрів, як деформація, температура і магнітне поле. Відомі давачі з ниткоподібних монокристалів напівпровідників групи АзВз для одночасного вимірювати магнітного поля і температ. Проте, такі давачі не можуть вимірювати третій параметр - деформацію. Ще один тип багатофункціонального давача з НІС кремнію призначений для вимірювання деформації і температури. Він містить ЧЕ з HK Si із сформованим на ньому перпендикулярним р-п переходом і трьома точковими контактами, причому частина ЧЕ р-типу служить давачем деформації (зусилля), а ділянка з р-n переходом - давачем температури. Проте, у зв'язку з нездатністю вимірювати магнітне поле, він має обмежені функціональні можливості. Крім цього, давач має недостатню точність виміру температури, оскільки р-п перехід, зазнає впливу деформації і може змінювати свої параметри.
У запропонованому багатофункціональному давачі ЧЕ виготовлений з голчастого монокристала твердого розчину Si1-хGex складу х = 0,05, легованого Zn, з питомим опором ~ 0,5 Ом*см. Сам ЧЕ складається з трьох частин, утворених точковими контактами так, що частина з сторони більшого поперечного перерізу використана як давач деформації, середня -як давач температури, і частина зі сторони вістря - як давач магнітного потія. Оптимпошша геометрія дяиача, тобто співвідношення частин ЧЕ, яке складає 3:2:1. Виконання ЧЕ з голчастого монокристала твердого розчину Si1-хGex складу х - 0,05, легованого, з питомим опором ~0.5 Ом*м забезпечує високу чутливість давача деформації з коефіцієнтом тензочутливості K >100, його невелику температурну зміну (~ 10 % в інтервалі 293-353 K). Для давача тепераіури наведені вище параметри дають лінійну залежність опору від температури з темпера гурним коефіцієнтом опору ~ +0,4 %1/К, що підвищує точність вимірювань. Наявність нелінійної S-подібної ВЛХ одного з конгактів і її чутливості до впливу магнітного поля, зокрема величини індукції В, забезпечує можливість її використання в давачі. Цьому сприяє голчаста форма ЧЕ і зміщення даного контакту до вістря кристала. Оптимальна чутливість давача магнітного поля та лінійна залежність ΔU = f(B) має місце при вказаних вище параметрах ЧЕ та співвідношенні його частин 3:2:1. Позитивний ефект забезпечується теж мінімальною величиною мапгітоопору ЧЕ (<0,1 %), завдяки чому магнітне поле не впливає на покази давачів деформації і температури. На рис.16,а представлена схема давача. Давач містить ЧЕ 1, що складається з трьох частин, утворених чотирма точковими контактами 2,3,4,5 так, що товстіша частина 2-3 використана як давач деформації, середня 3-4 - як давач температури і тонша 4-5 - як давач магнітного поля. Загальна довжина ЧЕ складає 8-15мм, середній ефективний діаметр ~ 50 мкм. Точкові контакти 2-5 створені методом електроімпульсного приварювання Pt -мікродроту діаметром ЗО мкм. Контакти 2 і 5 розташовують безпосередньо біля основи і вістря ЧЕ, контакт 3 - посередині ЧЕ, а контакт 4 -зміщено до вістря ЧЕ, тобто на віддалі від нього ~ на 1/6 1 (1-довжина ЧЕ). Використовують давач таким чином. Розташовують ЧЕ зконтактами на пружному елементі, приклеюючи його частину 2-3 за допомогою клею ВЛ-931, або БФ-2, за стандартною методикою. Градуюють його як тензорезистор, задаючи пружному елементу певного ступеня деформації є і вимірюючи зміну опору цифровим приладом (В7-16А). При роботі у широкому температурному діапазоні необхідне градуюваїшя давача деформації AR/Ro = %) при різних температурах, тобто одержання залежності K = f(T). Опісля градуюють давач температури (частіша 3-4 ЧЕ), і одержують залежність R(T). Для даною ЧЕ ця залежність є достатньо лінійною для двох га'дціапазонів - 233-273 K і 273-333 K - з чутливістю ΔR/DT -1,2-1,5 Ом/К, що дозволяє вимірювати температуру з точністю ± 0,1 K. І, вкінці, градуюють давач магнітного поля, пропускаючи стабілізований струмживлення через контакти 3 і 4 (як і у давачі температури), але вимірюють спад напруги між контактами 4 і 5, тобто опір розтікання контакту 4. У нашому випадку, задаючи робочий струм 10 = 2-3 мА і вибираючи робочу точку біля максимуму напруги S-подібної BAX, одержали лінійну залежність приросту напруги від індукції магнітного поля AU -f(B) з чутливістю у = ΔU/ΔB ~ 500 мВ/Тл. Для роботи у температурному діапазоні необхідно проградуювати давач при різних T, тобто визначити коефіцієнти P = Δγ/ΔТ. Одержавши відповідні залежності (графічні або аналітичні) для давача деформації - ΔR/Ro - f(s), температури - R = f(T), магнітного поля - ΔU = f(B), маємо можливість одним давачем вимірювати 3 параметри: деформацію, температуру і магнітне поле. Зауважимо, що при цьому використовуємо один цифровий вимірювальнім прилад, а лінійність градуювальнігх характеристик полегшує процес вимірювання і підвищує точність. Номінали опорів давачів 300-500 Ом зручні для реєстрації, а чутливість давача магнітного поля значно вища, ніж у давача Холла, що дозволяє вимірювати слабі магнітні поля.
Розрахункова частина
|
||||||
Последнее изменение этой страницы: 2016-06-28; просмотров: 61; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 3.144.172.115 (0.006 с.) |