![]() Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь КАТЕГОРИИ: ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву ![]() Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления
|
Опишите устройство установки наращивания эпитаксиальных слоев типа УНЭС-100 с использованием схемы установки, порядок работы установки. ⇐ ПредыдущаяСтр 5 из 5
Рис.8. 2. Реактор установки УНЭС-100: 1-охлождаемый колпак;2-рассекатель;3-кварцевыйстакан;4-индуктор; 5-подложкодержатель;6-пластины (подложки);7-отводная труба;8-кварцевая подставка;9-асбоцементная плита; 10-уплотнительная прокладка;11-механизм вращения;12-пневмоприжим. Назначение. Установка УНЭС-100(рис.8.2) предназначенная для наращивания эпитаксиальных слоев кремния из газовой фазы. Принцип действия. Принцип действия основан на восстановлении тетрахлорида кремния в газообразном водороде с последующим осаждением кремния на подложку.
Реактор установки выполнен по вертикальной схеме и включает охлождаемый водой колпак 1, рассекатель 2 для равномерного распределения ПГС, подложкодержатель 5 в виде полого графитового цилиндра, закрепленного через кварцевую подставку 8 на механизме вращения 11. На внешней поверхности подложкодержателя выполнены наклонные гнезда для пластин 6, а внутри него размещен кварцевый стакан 3 с ВЧ-индуктором 4. Подача ПГС,водорода производится через штуцер в нижнем фланце. Опишите устройство скруббера, назначение скруббера, принцип действия, его связь с системой газораспределения УНЭС-100 с применением схемы. Назначение. Скруббер (рис.8.4) предназначен для адсорбционного улавливания водой токсичных веществ и сжигания очищенного водорода. Скруббер представляет собой устройство, состоящее из двух параллельно работающих аппаратов, каждый из которых имеет две ступени: верхнюю 6 и нижнюю 2, соответственно служащие для сжигания очищенного водорода и адсорбционного улавливания водой хлорида водорода и тетрахлорида кремния. В случае погасания пламени в камере сжигания выходящие из скруббера газы должны быть разбавлены воздухом в соотношении 1:50 по отношению к максимальному количеству водорода. Рис. 8.4. Скруббер установки эпитаксиального наращивания УНЭС-100: 1–конус распределителя; 2,6–нижняя и верхняя ступени; 3–фильтр; 4–вентиль; 5,13–манометры,; 7–реле протока; 8–блокировочное устройство; 9–микровыключатель; 10–желоб; 11–рычаг; 12–свеча; 14–регулятор давления; 15–запальник; 16–штуцер; 17–бак; 18–гидрозатвор; 19–отработанные газы из реактора. Опишите устройство ионного источника с применением схемы ионного источника, принцип действия ионного источника,
Принцип действия основан на ионизации инертного газа электронами, движущимися под действием электрического поля. Порядок работы. В источнике ионов создается вакуум и производится напуск аргона. На катод 2 подается напряжение, происходит эмиссия электронов, которые под действие высокого напряжения на аноде (3,5кВ)устремляются к аноду 6, сталкиваются с молекулами газа аргона и ионизируют их. При определенном соотношении собственного давления газа и напряжения на аноде зажигается плазма. Плотность плазмы увеличивается с приложением магнитного поля 5 за счет изменения траектории пролета электронов.
Рис.4.6.Схема ионного источника: 1-корпус источника; 2 -катод;3-патрубок подачи газа (аргона);4-постоянный магнит;5-магнитные потоки;6-цилиндрический анод;7-плазма; 8-ионы; 9-экстрагирующая линза;10-фокусирующая линза;11- ускоряющая линза; 12-ионный пучок. С помощью экстрагирующей (вытягивающей) 9, фокусирующей 10,ускоряющей 11 линз, на которые подан отрицательный потенциал-300В, ионы формируются в пучок 12. Опишите устройство цилиндра Фарадея, с применением схемы цилиндра, принцип действия. Изложите необходимость применения заземляющих и подавляющей диафрагмы. Цилиндр Фарадея. Цилиндр Фарадея (рис.9.3) используют для измерения дозы и настройки ионной оптики. Измерение дозы ионов осуществляется непосредственно с поверхности изолированного подложкодержателя 4 и с размещённой на нём подложки 5. в этом случае доза определяется общим током от защитных экранов (корпуса цилиндра) и мишени к земле. Рис. 9.3. Цилиндр Фарадея: 1,2 - заземленная и подавляющая диафрагмы; 3-корпус цилиндра; 4 – подложкодержатель;5 - подложка. Опишите устройство линейного шагового двигателя (ЛШД) с использованием схемы индуктора и статора, схемы расположения индуктора на статоре. Координатный стол установки выполнен на базе линейного шагового двигателя (ЛШД). Рис. 11.8.Схемадвух координатного линейного шагового двигателя: 1-индуктор;2–канавки;3-плита из диабаза, статор координатного стола;4–лист из магнитомягкой стали; 5–жиклер;6-обмотка;7-магнит.
Принцип действия линейного шагового двигателя (рис.11.8) основан на непосредственном преобразовании электромагнитной энергии в поступательное перемещение индуктора, размещенного на магнитной воздушной подвеске над плоской плитой статора.
Статор3 изготовлен из диабаза с наклеенным на нем листом из магнитомягкой стали 4, на верхней поверхности которого вдоль осей X и У нарезании канавки 2. Канавки заполнены немагнитным компаундом, после чего проводится шлифовка, обеспечивающая плоскопараллельность не хуже 5 мкм. Индуктор 1 выполнен в виде группы магнитов 7, заключённых в общий корпус. Магнитопроводы 6,9 и обмотки управления 5,8,предназначены для управления перемещением и позиционированием индуктора относительно пластины статора(Рис.11.9), используя сила магнитного взаимодействия между ними. Зазор между индуктором 1 и листом 4 (15-25 мкм.) создаётся благодаря уравновешиванию сил притяжения, создаваемых постоянными магнитами 7 и сил отталкивания, создаваемых сжатым воздухом, подаваемым под давлением 3*105 Па. через жиклер 5. Это обеспечивает исключение механического трения и точность позиционирования.
|
||||||||
Последнее изменение этой страницы: 2016-04-07; просмотров: 588; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 3.235.40.122 (0.011 с.) |