Элементы электронных схем информационных приборов. Назначение, классификация. 





Мы поможем в написании ваших работ!



ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?

Элементы электронных схем информационных приборов. Назначение, классификация.



Элементы электронных схем информационных приборов. Назначение, классификация.

· Конденсаторы(двухполюсник с определённым или переменным значением ёмкости и малой проводимостью; устройство для накопления заряда и энергии электрического поля)

По форме обкладок:плоский, цилиндрический, сферический, сфера.

По виду диэлектрика:вакуумные, с жидким диэлектриком, с твердым неорганическим и органическим диэлектриком и т.д.

По возможности изменения своей емкости:

Постоянные-не меняют свою емкость

Переменные-допускают изменение емкости в процессе функционирования аппаратуры

Подстроечные- емкость меняется при разовой или периодической регулировке, но не в процессе функционирования аппаратуры.

· Резисторы

По характеру изменения сопротивления:

Постоянные резисторы.

Переменные резисторы(реостат)-сопротивление меняется механическим способом.

Подстроечные резисторы- для тонкой настройки радиоэлектронного устройства в процессе его монтажа или ремонта.

По виду ВАХ:

(см. полупроводниковые резисторы)

· Катушки индуктивности(Катушка индуктивности —винтовая, спиральная или винтоспиральная катушка из свёрнутого изолированногопроводника, обладающая значительной индуктивностьюпри относительно малой ёмкости и малом активном сопротивлении)

· Полупроводниковые приборы:

- Полупроводниковые резисторы: полупроводниковый прибор с двумя выводами, в котором используется зависимость электронного сопротивления полупроводника от напряжения(эл.поля-варисторы, магн. поля- магниторезисторы ), температуры (термисторы), освещенности(фоторезисторы) и др. Линейный резистор – полупроводниковый резистор; сопротивление остается практические постоянным.

-Полупроводниковые диоды: Полупроводник с одним "p-n" переходом называется полупроводниковым диодом. При наложении эл.поля в одном направлении сопротивление полупроводника велико,
в обратном - сопротивление мало.

Таким образом, электронно-дырочный переход обладает односторонней проводимостью.

-Полупроводниковые транзисторы:радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, позволяющий входным сигналом управлять током в электрической цепи.

Биполярные: (n-p-n иp-n-p )

Б-база, э- эмиттер, к- коллектор.

Физические процессы в транзисторах p-n-p-типа и n-p-n-типа одинаковы. Отличие их в том, что токи в базах транзисторов p-n-p-типа переносятся основными носителями зарядов — дырками, а в транзисторах n-p-n-типа — электронами.

Нормальный активный режим: переход эмиттер база в прямом направлении(открыт), а коллектор база в обратном(закрыт).

Инверсивный активный режим: все наоборот.

Режим насыщения- оба открыты.

Полевые:

Полевой транзистор - полупроводниковый прибор, через который протекает поток основных носителей зарядов, регулируемый поперечным электрическим полем, которое создаётся напряжением, приложенным между затвором и стоком или между затвором и истоком.

Измерительные преобразователи температуры. Термоэлектрический эффект.

Терморезисторы относятся к параметрическим датчикам температуры, поскольку их активное сопротивление зависит от температуры. Если терморезистор нагревать проходящим через него электрическим током, то его температура будет зависеть от интенсивности теплообмена с окружающей средой, которая зависит от физических свойств газовой или жидкой среды, в которой находится терморезистор.

Металлические терморезисторы.

Сопротивление металлического проводника зависит от температуры по закону R=C*eαT, где

С- постоянный коэффициент, зависящий от материала и конструкции проводника, α- температурный коэффициент сопротивления материала проводника, Т – температура. ТКС для большинства металлов положителен. Чувствительность таких тр низкая, а динамическая реакция- медленная, подвержены разрушению при вибрациях и ударах.

Нелинейные резисторы.

· Варисторы-от напряжения

· Терморезисторы- от температуры

· Фоторезисторы- от освещенности

· Тензорезисторы- от деформации

· Магниторезисторы – от величины магнитного поля

· Мемристоры – от протекающего заряда

 

Конструктивные особенности и назначение ЧИП(SMD) конденсаторов.

SMD (англ. SurfaceMountDevice – прибор, монтируемый на поверхность) конденсатор – вид конденсаторов, применяемых в монтаже печатных платах. Такие конденсаторы бывают двух видов: керамические и оксидные. SMD- конденсаторы состоят из двух металлических обкладок, между которыми находится либо оксидный слой, либо SiO2 и некоторые другие соединения кремния. Используются совместно с катушкой индуктивности и сопротивлением в колебательном контуре, электрических фильтрах, в качестве элемента памяти.

Нелинейные резисторы.

· Варисторы-от напряжения

· Терморезисторы- от температуры

· Фоторезисторы- от освещенности

· Тензорезисторы- от деформации

· Магниторезисторы – от величины магнитного поля

· Мемристоры – от протекающего заряда

Нелинейные резисторы

· Варисторы-от напряжения

· Терморезисторы- от температуры

· Фоторезисторы- от освещенности

· Тензорезисторы- от деформации

· Магниторезисторы – от величины магнитного поля

· Мемристоры – от протекающего заряда

Конструктивные особенности и назначение ЧИП(SMD) конденсаторов.

SMD (англ. SurfaceMountDevice – прибор, монтируемый на поверхность) конденсатор – вид конденсаторов, применяемых в монтаже печатных платах. Такие конденсаторы бывают двух видов: керамические и оксидные. SMD- конденсаторы состоят из двух металлических обкладок, между которыми находится либо оксидный слой, либо SiO2 и некоторые другие соединения кремния. Используются совместно с катушкой индуктивности и сопротивлением в колебательном контуре, электрических фильтрах, в качестве элемента памяти.

Билет 10.

 

Нелинейные резисторы.

· Варисторы-от напряжения

· Терморезисторы- от температуры

· Фоторезисторы- от освещенности

· Тензорезисторы- от деформации

· Магниторезисторы – от величины магнитного поля

· Мемристоры – от протекающего заряда

 

 

Виды защиты приборов(IP). Примеры.

Ingress Protection Rating (степень защиты от проникновения) — система классификации степеней защиты оболочки электрооборудования и других устройств от проникновения твёрдых предметов, пыли и воды в соответствии с международным стандартом IEC 60529 (DIN 40050, ГОСТ 14254-96).

Маркировка степени защиты оболочки электрооборудования осуществляется при помощи международного знака защиты (IP) и двух цифр, первая из которых означает защиту от попадания твёрдых предметов, вторая — от проникновения воды.

 

Первая цифра

Уровень Защита от посторонних предметов, имеющих диаметр Описание
Защита отсутствует
≥ 50 мм Большие поверхности тела, нет защиты от сознательного контакта
≥ 12,5 мм Пальцы и подобные объекты
≥ 2,5 мм Инструменты, кабели и т. п.
≥ 1 мм Большинство проводов, болты и т. п.
Пылезащищённое Некоторое количество пыли может проникать внутрь, однако это не нарушает работу устройства. Полная защита от контакта
Пыленепроницаемое Пыль не может попасть в устройство. Полная защита от контакта

 

Вторая цифра

Уровень Защита от Описание
Защита отсутствует
Вертикальные капли Вертикально капающая вода не должна нарушать работу устройства
Вертикальные капли под углом до 15° Вертикально капающая вода не должна нарушать работу устройства, если его отклонить от рабочего положения на угол до 15°
Падающие брызги Защита от дождя. Брызги падают вертикально или под углом до 60° к вертикали.
Брызги Защита от брызг, падающих в любом направлении.
Струи Защита от водяных струй с любого направления
Морские волны Защита от морских волн или сильных водяных струй. Попавшая внутрь корпуса вода не должна нарушать работу устройства.
Кратковременное погружение на глубину до 1 м При кратковременном погружении вода не попадает в количествах, нарушающих работу устройства. Постоянная работа в погружённом режиме не предполагается.
Длительное погружение на глубину более 1 м Полная водонепроницаемость. Устройство может работать в погружённом режиме

 

Пример: IP-67подразумевает полную защиту от пыли и выдержку кратковременного погружения на глубиной до 1 м.

 

 

Билет 17

 

Датчики магнитного поля.

Основные виды датчиков:

· использующие эффект Виганда;

· магниторезистивные;

· индукционные;

· работающие на эффекте Холла;

Эффект Холла — явление возникновения поперечной разности потенциалов (называемой также холловским напряжением) при помещении проводника с постоянным током в магнитное поле.

 

Этот эффект проявляется в том, что если ферромагнитную проволоку, имею­щую специальный химический состав и физическую структуру, внести в магнит­ное поле, то произойдет спонтанное изменение ее магнитной поляризации, как только напряженность поля превысит некоторое пороговое значение. Этот пре­дел называется порогом зажигания. Изменение состояния проволоки можно ре­гистрировать при помощи обмотки, намотанной вокруг проволоки или размещенной рядом с ней.

Магниторезисторами называют полупроводниковые приборы, сопротивление которых меняется в магнитном поле.

 

 

Билет 23.

 

Конструктивные особенности и назначение ЧИП (SMD) конденсаторов.

SMD (англ. SurfaceMountDevice – прибор, монтируемый на поверхность) конденсатор – вид конденсаторов, применяемых в монтаже печатных платах. Такие конденсаторы бывают двух видов: керамические и оксидные. SMD- конденсаторы состоят из двух металлических обкладок, между которыми находится либо оксидный слой, либо SiO2 и некоторые другие соединения кремния. Используются совместно с катушкой индуктивности и сопротивлением в колебательном контуре, электрических фильтрах, в качестве элемента памяти.

 

Билет 24.

Конструктивные особенности и назначение ЧИП (SMD) конденсаторов.

SMD (англ. SurfaceMountDevice – прибор, монтируемый на поверхность) конденсатор – вид конденсаторов, применяемых в монтаже печатных платах. Такие конденсаторы бывают двух видов: керамические и оксидные. SMD- конденсаторы состоят из двух металлических обкладок, между которыми находится либо оксидный слой, либо SiO2 и некоторые другие соединения кремния. Используются совместно с катушкой индуктивности и сопротивлением в колебательном контуре, электрических фильтрах, в качестве элемента памяти.

 

Нелинейные резисторы.

· Варисторы-от напряжения

· Терморезисторы- от температуры

· Фоторезисторы- от освещенности

· Тензорезисторы- от деформации

· Магниторезисторы – от величины магнитного поля

· Мемристоры – от протекающего заряда

Элементы электронных схем информационных приборов. Назначение, классификация.

· Конденсаторы(двухполюсник с определённым или переменным значением ёмкости и малой проводимостью; устройство для накопления заряда и энергии электрического поля)

По форме обкладок:плоский, цилиндрический, сферический, сфера.

По виду диэлектрика:вакуумные, с жидким диэлектриком, с твердым неорганическим и органическим диэлектриком и т.д.

По возможности изменения своей емкости:

Постоянные-не меняют свою емкость

Переменные-допускают изменение емкости в процессе функционирования аппаратуры

Подстроечные- емкость меняется при разовой или периодической регулировке, но не в процессе функционирования аппаратуры.

· Резисторы

По характеру изменения сопротивления:

Постоянные резисторы.

Переменные резисторы(реостат)-сопротивление меняется механическим способом.

Подстроечные резисторы- для тонкой настройки радиоэлектронного устройства в процессе его монтажа или ремонта.

По виду ВАХ:

(см. полупроводниковые резисторы)

· Катушки индуктивности(Катушка индуктивности —винтовая, спиральная или винтоспиральная катушка из свёрнутого изолированногопроводника, обладающая значительной индуктивностьюпри относительно малой ёмкости и малом активном сопротивлении)

· Полупроводниковые приборы:

- Полупроводниковые резисторы: полупроводниковый прибор с двумя выводами, в котором используется зависимость электронного сопротивления полупроводника от напряжения(эл.поля-варисторы, магн. поля- магниторезисторы ), температуры (термисторы), освещенности(фоторезисторы) и др. Линейный резистор – полупроводниковый резистор; сопротивление остается практические постоянным.

-Полупроводниковые диоды: Полупроводник с одним "p-n" переходом называется полупроводниковым диодом. При наложении эл.поля в одном направлении сопротивление полупроводника велико,
в обратном - сопротивление мало.

Таким образом, электронно-дырочный переход обладает односторонней проводимостью.

-Полупроводниковые транзисторы:радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, позволяющий входным сигналом управлять током в электрической цепи.

Биполярные: (n-p-n иp-n-p )

Б-база, э- эмиттер, к- коллектор.

Физические процессы в транзисторах p-n-p-типа и n-p-n-типа одинаковы. Отличие их в том, что токи в базах транзисторов p-n-p-типа переносятся основными носителями зарядов — дырками, а в транзисторах n-p-n-типа — электронами.

Нормальный активный режим: переход эмиттер база в прямом направлении(открыт), а коллектор база в обратном(закрыт).

Инверсивный активный режим: все наоборот.

Режим насыщения- оба открыты.

Полевые:

Полевой транзистор - полупроводниковый прибор, через который протекает поток основных носителей зарядов, регулируемый поперечным электрическим полем, которое создаётся напряжением, приложенным между затвором и стоком или между затвором и истоком.





Последнее изменение этой страницы: 2016-04-07; просмотров: 199; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы!

infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 23.20.20.52 (0.007 с.)