ТОП 10:

Моделирование входной характеристики



Входная характеристика необходима для нахождения требуемого смещения на базе.

Определим номиналы источников напряжения. Источник коллекторной цепи (V1 на рис.2.2.4) установим равным напряжению питания (16В). Номинал источника напряжения база-эмиттер (V2 на рис.2.2.4) не задаётся, он изменяется в программе автоматически. Изменять его будем от 0 до 1 В (напряжение насыщения) с шагом 0.0001 для обеспечения достаточной точности моделирования (рис.2.2.5).

Соберём схему для моделирования входной характеристики (рис.2.2.4).

Рис.2.2.4 Схема для моделирования входной характеристики

 

Устанавливаем параметры изменения источника V2:

 

Рис.2.2.5 Пределы изменения напряжения база-эмиттер

 

Построим входную характеристику и по ней определим недостающую координату рабочей точки (напряжения смещения на базе) установив Iб0 в выбранном режиме (рис. 2.2.6).

 

Рис.2.2.6 Входная характеристика транзистора

 

Получили:

· Напряжение база-эмиттер покоя UБЭ0= 589.4684 мВ;

· Ток базы покоя IБ0=-21.32 мкА.


Моделирование передаточной характеристики

Передаточная характеристика нужна для определения параметров рабочей точки транзистора в режиме А с учётом сопротивления нагрузки и цепей термостабилизации.

RЭ=0.1RК=0.12 КОм=200 Ом.

Оценим предварительно напряжение базы покоя транзистора в режиме А, с учетом падения напряжения на резисторе Rэ:

UБ0=UБЭ0+URэ=UБ0+IК0RЭ=-589.4684 мВ+(-4.0738мА200 Ом)=-1.40423 В;

Uк0= Uкэ0 +(Iк0 Rэ) = -8 В + (-4.0738мА 200 Ом)= -8.81476 В.

Источник коллекторной цепи установим равным напряжению питания (16В). Номинал источника напряжения базы (V2 на рис.2.2.7) не задаём, он изменяется в программе автоматически. Диапазон изменения его зададим от 0 до 3 В ( чтобы транзистор вошёл в режим насыщения) с шагом 0.0001В для обеспечения достаточной точности моделирования (рис.2.2.8).

Соберём схему для моделирования передаточной характеристики (рис.2.2.7).

 

Рис.2.2.7 Схема для моделирования передаточной характеристики

 

Установим пределы изменения напряжения базы (рис.2.2.8)

 

Рис.2.2.8 Пределы изменения напряжения базы

 

Построим передаточную характеристику и найдём значение UБ0,используя UКО, которое задаёт режим А работы транзистора (рис. 2.2.9).

 

Рис.2.2.9 Передаточная характеристика транзистора

Здесь напряжение коллектор покоя UК0 принимаем равным 8.8206 В с учетом падения напряжения на компенсационном резисторе RЭ.

Найденное значение UБ0=1.4448 В ( на рис.2.2.9) отличается от расчётного 1.40423 В на 3%, что не превышает допустимую погрешность.

Для определения параметров покоя транзистора нужно изменить номинал базового источника напряжения (рис. 2.2.10).

Рис.2.2.10 Схема для определения параметров покоя транзистора

 

Найдём все потенциалы и токи в режиме А работы транзистора (рис. 2.2.11):

 

 

Рис.2.2.11 Потенциалы и токи в режиме А работы транзистора

 

Коэффициент передачи по току транзистора с учётом нагрузки:

h21Э=IK0 / IБ0= 3.59242 мА / 18.9993 мкА = 189.

Таким образом, по результатам моделирования передаточной статической характеристики были получены окончательные параметры, описывающие координаты рабочей точки транзистора 2N5830 в режиме А:

· Напряжение коллектора покоя UК0=8.81515 В;

· Ток коллектора покоя IК0=3.59242 мА;

· Напряжение базы покоя UБ0=1.4448 В;

· Ток базы покоя IБ0=18.99274 мкА.







Последнее изменение этой страницы: 2017-02-10; Нарушение авторского права страницы

infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 3.236.15.246 (0.013 с.)