Многоколлекторные транзисторы. 


Мы поможем в написании ваших работ!



ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?

Многоколлекторные транзисторы.



Структура многоколлекторного транзистора (МКТ) (рисунок 11.6 а) такая же, как и структура МЭТ, но используется она иначе. Здесь роль эмиттера выполняет эпитаксиальный n-слой, а коллекторами являются высоколегированные n -слои малых размеров. Поэтому МКТ можно рассматривать как МЭТ в инверсном режиме (рисунок 4.4 б, в).

Исходя из такого использования структуры, необходимо увеличивать коэффициент инжекции эмиттера. С этой цепью подложку n+-типа располагают по возможности ближе к базовому слою. Будучи высоколегированной, она обеспечивает увеличение коэффициента инжекции.

Рис. 6

МКТ используют для создания логических схем с инжекционным питанием, называемых схемами И2Л (интегральная инжекционная логика).

Такие схемы нельзя выполнить на дискретных элементах. В общем случае схемы И2Л состоят из нескольких многоколлекторных n-р-n-транзисторов и многоколлекторного p-n-p-транзистора, выполняющего функции источника питания многоколлекторных транзисторов и называемого инжекторным.

Эмиттер инжекторного транзистора называют инжектором и обозначают И.

Схема из двух МКТ и одного двухколлекторного инжекторного транзистора показана на рисунке 7 а.

Рис. 7

На рисунке 7 б представлена структура этой схемы (И2Л).

Эпитаксиальный n-слой (вместе с подложкой n -типа) является эмиттером всех n-p-n-транзисторов, базой каждого МКТ является свой р-слой, а коллектором - малые n+-слои. Инжекторный p-n-p-транзистор имеет отдельно выполненный в виде длинной р-полоски инжектор, его базой служит эпитаксиальный n-слой, а коллекторами - базовые р-слои многоколлекторных n-р-n-транзисторов. Таким образом, в схеме один и тот же слой выполняет две функции: является базой р-n-р- транзистора и коллективом n-р-n-транзистора, эмиттер n-р-n-транзистора является базой р-n-р-транзистора.

Полевые МДП-транзисторы.

В ИМС в основном применяют МДП-транзисторы с изолированным затвором и индуцированным каналом. В качестве диэлектрика обычно используют SiO2, тогда эти транзисторы называют МОП-транзисторами. Канал транзисторов может быть, и р-, и n-типа. По сравнению с ИМС на биполярных транзисторах ИМС на МОП-транзисторах технологически проще, так как при этом не требуется изоляции элементов, истоки и стоки смежных транзисторов разделены встречно включенными p-n-переходами.

Поэтому МДП-транзисторы можно располагать близко друг к другу, что обеспечивает большую плотность компоновки. МДП-транзисторы можно использовать и в качестве пассивных элементов ИМС, а также нагрузочных резисторов (при соответствующем включении). Все это позволяет создавать логические ИМС полностью на базе только МДП-структур.

Диоды.

Для создания диода нужно сформировать один р-n-переход. Но в биполярных ИМС основной структурой является транзисторная, поэтому диоды получают путем диодного включения транзисторов. Возможны пять вариантов таких включений (рисунок 8).

Рис. 8

На рисунке обозначены подложки П, пунктиром показаны паразитные емкости, барьерные CЭбар и CКбар между соответствующими р-n-переходами, а также между коллектором и подложкой CКП. В первом варианте (а) используется p-n-переход эмиттер - база, p-n-переход коллектор-база замкнут; во втором варианте (б) используется p-n-переход коллектор-база, а эмиттер разомкнут, в третьем варианте (в) используется р-n-переход коллектор-база, а p-n-переход эмиттер-база замкнут; в четвертом варианте (г) используется p-n-переход коллектор-база, а эмиттер разомкнут; в пятом варианте (д) используются оба p-n-перехода, но эмиттер и коллектор соединены между собой так, что эмиттерный и коллекторный p-n-переходы включены параллельно. В каждом варианте включения параметры диодов разные. Первый вариант обеспечивает получение быстродействующих диодов, так как в этом случае накопление носителей заряда может происходить только в базовой области, которая очень тонкая, поэтому время восстановления обратного тока τВОС в этом варианте минимально. В других вариантах заряд накапливается не только в базе, но и в коллекторе (τВОС большое). Вследствие этого первый вариант используют в логических ИМС, где необходимо высокое быстродействие.

Резисторы.

В биполярных ИМС для создания резисторов используют одну из областей биполярной транзисторной структуры: эмиттер, базу или коллектор. Основу этих структур составляет один из слоев ИМС, получаемый методом диффузии. Отсюда название таких резисторов - диффузионные.

Диффузионные резисторы изолированы от остального объема полупроводника p-n-переходами. Полупроводниковые резисторы с большими значениями сопротивлений получают не диффузией, а методом ионной имплантации примесей. Такие резисторы называют ионно-легированными.

Резисторы получают также на основе различных вариантов МОП-структур Их используют в качестве нагрузочных резисторов в цифровых ИМС на основе МОП-транзисторов.

Конденсаторы.

В полупроводниковых биполярных ИМС применяют конденсаторы на основе p-n-переходов, смещенных в обратном направлении (диффузионные конденсаторы). Формирование конденсаторов производится в едином технологическом цикле одновременно с изготовлением транзисторов и диффузионных резисторов, что не требует дополнительных технологических операций для их изготовления.

Диэлектриком в таком конденсаторе служит область объемного заряда р-n-перехода. Условием работы конденсаторов является правильное включение напряжения смещения, так как принцип их работы основан на том, что барьерная емкость p-n-перехода проявляется при обратном смещении перехода и зависит от смещения. Диффузионные конденсаторы могут выполнять функции как постоянной, так и переменной емкостей.

Конденсаторы могут быть созданы и на основе МОП-транзисторов В качестве диэлектрика используют слой Si02. Одной обкладкой такого конденсатора служит слой металла - пленка алюминия, другой – сильнолегированная область полупроводника (n+-слой). Индуктивные катушки и трансформаторы в полупроводниковых ИМС отсутствуют.

Элементы пленочных ИМС. Технология пленочных ИМ позволяет выполнить только пассивные элементы, в том числе и индуктивные катушки Резисторы, конденсаторы и индуктивные катушки изготовляют путем напыления или нанесения многослойных резистивных, проводящих и изолирующих пленок на поверхность подложки.

Пленочные ИМС в зависимости от способа нанесения и толщины пленок подразделяют на тонкопленочные (толщина пленок до 1-2 мкм) и толстопленочные (толщина пленок 10-20 мкм и выше). Так как все пленочные элементы располагают на диэлектрической подложке, отпадает необходимость в их изоляции. Расстояния между элементами сравнительно большие, подложка достаточна толстая, поэтому паразитные емкости практически отсутствуют.

Индуктивные катушки изготовляют путем напыления на подложку проводящих спиралей различной конфигурации. На рисунке 9 показана пленочная катушка индуктивности в виде прямоугольной спирали.

Рис. 9

 

Транзистор Шоттки (рис. 3, г и 3, в) состоит из биполярного транзистора и диода Шоттки, включенного между базой и коллектором транзистора.

При создании диффузионного резистора (рис. 3, и) используется один из слоев биполярного транзистора: базовый (), коллекторный () или эмиттерный (). Точность таких резисторов невысокая (), и они имеют большой температурный коэффициент: . Если необходимо иметь резистор с сопротивлением больше 100 кОм, то используется сопротивление канала полевого транзистора (рис. 3, л) – это так называемый пинч-резистор; у него нелинейное сопротивление. Конденсаторы реализуются или в виде барьерных ёмкостей закрытых коллекторных переходов (на рис. 3, к показана структура неполярного конденсатора в виде двух встречновключенных p-n- переходов), или ёмкостей между затвором и каналом МДП-транзисторов (рис. 3, м). Барьерные ёмкости не превышают 100 пФ, имеют невысокую добротность (до 10) и точность (), тогда как МДП-ёмкости могут достигать нескольких тысяч пикофарад и имеют добротность до 100.

Наибольшая плотность упаковки (число элементов на площади в 1 мм2) достигается в микросхемах на основе МДП-транзисторов – до 100 тысяч, при этом число транзисторов на единой полупроводниковой подложке (степень интеграции) может доходить до 50 миллионов и более. Толщина подзатворного окисла кремния составляет 5 нм и менее (у МНОП-транзисторов 2 нм окисла и 50 нм нитрида кремния), а толщина окисла, разделяющего уровни металлизации, – 0,6…3 мкм.



Поделиться:


Последнее изменение этой страницы: 2017-02-10; просмотров: 470; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы!

infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 54.147.123.159 (0.008 с.)