ТОП 10:

Энергетические зоны в кристаллах. Металлы, диэлектрики, полупроводники.



, n=1,2,3,… Возникновение энергетических зон можно объяснить модификацией энергетических уровней атомов при их сближении. При сближении N одинаковых атомов каждый уровень атома распадается на N очень близких подуровней из-за перекрытия электронных оболочек атомов. Рас-е м/д подуровнями ~ эВ. Образуются разрешенные энергетические зоны (35 - эВ), заштрихованные на рис1.Уровни внутренних электронов расщепляются мало. Различия в электрических свойствах металлов, полупроводников и диэлектриков объясняются: 1) шириной E D запрещенных энергетических зон; 2) различным заполнением разрешенных энергетических зон. Необходимое условие электрической проводимости твердого тела – это наличие в разрешенной зоне свободных энергетических уровней, на которые можно перевести электроны, прикладывая внешнее электрическое поле или повышая температуру. , Т.е функция u(r) обладает свойством инвариантности, т.е. в кристаллах u(r )=u(u+l), где l-период кристаллической решетки. Уравнение Шреденгера обладает решением = , где - периодическая функция, к-волновой вектор ( )

Решение уравнения Шреденгера для валентных электронов  

Обл. к-простр-ва, внутри которой энергия электрона измеряется квазинепрерывноназыв.зонойБриллюэна.

Металлы: Внешняя зона у металлов-зона проводимости(обозн. С).Запрещенная зона:

Ближайшая к зоне проводимости-валентная зона(V)

В металлах при 0 = TK валентная зона заполнена электронами полностью, а зона проводимости – частично. Энергии теплового движения электронов будет достаточно, чтобы электроны перешли на свободные уровни в зоне, обеспечивая проводимость металлов. У металлов электропродимость снижается с увеличением температуры, т.к. сопротивление увеличивается.На каждом уровне по 2 электрона.В зоне проводимости электронов нет.

 

 

V
С

V


T

 

Полупроводники:валентная зона отделена от зоны проводимости. Валентная зона заполнена.Чтобы электрон перешел на новый уровень элементу надо электрону придавать энергию.Запрещеная зона узкая.

С

T

с увеличением темп., электропродимостьуыеличивается экспоненциально

.Полупроводники, у которых электропроводимость обеспечивается переходом валентной зоны в зону проводимости под внешним воздействием наз.собств.полупроводниками. . , где -концентрация элементов и дырок. -подвижность элементов и дырок.

№ группы ТМ IV III-IV II-VI
полупроводники Ge SiC GaP GaAs ZnK CdS
,эВ 0,7 3,0 2,2 1,4 0,9 2,4

Диэлектрики: запрещенная зона шире.

У твердых диэлектриков запрещенная зона шире.

Поэтому ни тепловое движение, ни постоянное электрическое

поле или другие воздействия,не разрушающие твердое тело,

не могут перебросить электроны из валентной зоны в зону проводимости.

Собств. и примесная проводимость полупроводников.

Наиболее существенной особенн-ю полупроводников является их

способность изменять свои свойства в чрезвычайно широких

пределах под влиянием различных воздействий: температуры,

электрического и магнитного полей, освещения и т. д. Например, собственная проводимость чистых полупроводников при их нагревании экспоненциально возрастает. В полупроводниках с акцепторной примесью возможна электропродимость, обеспечиваемая переходом дырок в валентной зоне на другие уровни. ,

Lnn=f( )Зав-ть концентрации от темп.-обратная ф-я.Высокая чувствительность полупроводников к изменению темп. и освещенности позволяет использовать их для изготовления приборов: термисторов и фотосопротивлений.


 







Последнее изменение этой страницы: 2017-02-07; Нарушение авторского права страницы

infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 18.207.240.230 (0.006 с.)