Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь КАТЕГОРИИ: АрхеологияБиология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия Экология ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Эквивалентные схемы БТ с ОБ и ОЭ.
Физические Т-образные эквивалентные схемы замещения БТ часто используются для анализа малосигнальных транзисторных усилителей. Эквивалентная схема БТ в схеме включения с ОБ и ОЭ
Параметры эквивалентных схем маломощных БТ обычно принимают следующие типовые значения: · дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода rэ – единицы – десятки Ом; · объемное сопротивление базы rб –сотни Ом – единицы кОм; · выходное сопротивление в схеме с ОБ rк – сотни кОм – единицы МОм; · выходное сопротивление в схеме с ОЭ r *к = rк (h21э +1) – десятки – сотни Значения параметров могут быть найдены с использованием известных h-параметров. с ОБ: rб=h12б/h22б ; rк=1/h22б ; α=-h21б ; rэ= h11б - (1- h21б) rб с ОЭ: rэ=h12э/h22э ; r*к=1/h22э ; β=h21э ; rэ= h11э - (1+ h21э) rэ Коэффициенты обратной связи по напряжению h12э для обеих схем включения БТ имеют очень малую величину, поэтому при определении h- параметров точность вычисления некоторых параметров с использованием статических ВАХ оказывается низкой. В связи с этим при расчете параметров эквивалентной схемы целесообразно использовать выражение для легко определяемого сопротивления эмиттерного перехода rэ= фТ/Iэ0 где фT = kT/ q – тепловой потенциал, равный 26 мВ при Т=300 К; Iэ0 – ток эмиттера БТ в рабочей точке. Связанное с ним объемное сопротивление базы БТ также целесообразно рассчитать согласно выражению rб = (h11б − rэ ) (1+ h21б ).
17. Полевые транзисторы. Классификация и устройство, основные характеристики. Схемы включения полевых транзисторов. Сравнение характеристик ПТ и БТ. Полевыми транзисторами называются полупроводниковые приборы, в которых электрический ток создается основными носителями заряда под действием продольного электрического поля, а управление током осуществляется поперечным электрическим полем, создаваемым на управляющем электроде. Область полупроводникового прибора, по которой протекает управляемый ток, называется каналом. Электрод, через который носители заряда втекают в канал, называется истоком, а электрод, через который они вытекают из канала, называется стоком. Электрод, используемый для управления площадью поперечного сечения канала (током канала), называется затвором. Затвор должен быть электрически изолирован от канала. В зависимости от способа изоляции различают: ПТ с управляющим p-n-переходом; ПТ с изолированным затвором или транзисторы металл – диэлектрик – полупроводник (МДП-транзисторы). Полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов, использующие свойства гетероперехода, работают в диапазоне СВЧ.
ПТ с управляющим p-n-переходом и при Uзи = Uотс.
ВАХ ПТ: выходные (стоковые) Ic=f(Uси), Uзи=const и характеристики передачи (сток-затворные) Ic=f(Uзи), Uси=const Полевые транзисторы включаются по схемам с общим затвором (ОЗ), общим истоком (ОИ), общим стоком (ОС). Наиболее часто используется схема включения с ОИ.
|
|||||
Последнее изменение этой страницы: 2016-12-30; просмотров: 436; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 3.147.73.35 (0.006 с.) |