Секция «Физика полупроводников и наноэлектроника»

3 декабря 14–00

учебный корпус № 2, ауд. 209

 

Председатель – ст. преп. В.Ю. Паневин

Секретарь – инж. И.С. Полухин

Научный руководитель – проф. Д.А. Фирсов

 

1. М.А. Елистратова, асп. (научный руководитель – доц. И.Б. Захарова), СПбПУ

Исследование взаимодействия металлопорфиринов с фуллереном С₆₀.

2. О.И. Кириленко, студ. 5 к., (научный руководитель – доц. А.Н. Софронов, Р.М. Балагула), СПбПУ

Исследование динамики релаксации неравновесных носителей заряда в структурах с квантовыми точками GeSi/Si.

3. Д.А. Рыбалко, асп. (научный руководитель – М.А. Одноблюдов), СПбПУ

Модель лазера с пассивной синхронизацией мод на квантовых ямах.

4. А.И. Федотов, студ. 6 к. (научный руководитель – в.н.с. А.Т. Бурков (ФТИ им. А.Ф.Иоффе), СПбПУ

Термоэлектрические свойства тонких лент состава Co₄Sb_11.6Te_0.4, полученных методом спиннингования из расплава.

5. Г. Шаравпил, студ. 6 к. (научный руководитель – С.Ф. Мусихин), СПбПУ

Фотоэлектрические свойства структур на основе квантовых точек PbS на проводящей подложке.

6. А.А. Шумилов, студ. 6 к. (научный руководитель – ст.преп. М.Я. Винниченко), СПбПУ

Пропускание света туннельно–связанными квантовыми ямами GaAs/AlGaAs в продольном электрическом поле.

7. В.А. Юрова (СПбГУТ им. проф. М.А. Бонч–Бруевича), А.Б. Федорцов (НМСУ «Горный»)

Исследование зависимости дисперсионных сил в МДП–структурах от свойств материала диэлектрика.

8. А.П. Ягунов, студ. 5 к. (научный руководитель – доц. В.А. Зыков), СПбПУ

Получение гетеропереходов Si/Zn_XCd_1–XTe с различным значением Х и исследование их фотоэлектрических и электрических свойств.

 

Секция «Материалы и компоненты интегральной электроники»

 

4 декабря, 16–00

учебный корпус № 2, ауд. 458

 

Председатель – проф. А.С. Коротков

Секретарь – Т.Ф. Иванова

Научный руководитель – проф. Н.Т. Сударь

 

1. И.А. Румянцев, асп. (научный руководитель – проф. А.С. Коротков), СПбПУ

Энергонезависимая однократно программируемая память на основе стандартной КМОП–технологии

2. Р.С. Смердов, студ. 6 к. (научный руководитель – проф. Т.В. Бочарова), СПбПУ

Спектроскопические свойства гамма–облученных композитных наночастиц Fe_mO_n

3. А.И. Константинов, студ. 5 к., М. С. Енученко, асп. (научный руководитель – проф.

А.С. Коротков), СПбПУ

Сравнение методов компенсации систематической ошибки в унарных ЦАП

4. Е.Л. Фертикова, студ. 5 к. Д.О. Буданов, асп. (научный руководитель – проф. А.С. Коротков, доц. М.М. Пилипко), СПбПУ

Шифраторы термометрического кода

5. А. В. Киселева, студ. 5 к. (научный руководитель – проф. А.С. Коротков), СПбПУ

Органические транзисторы в устройствах радиочастотной идентификации

6. А.П. Сараева, студ. 5 к. (научный руководитель – доц. Д.Д. Каров), СПбПУ

Оптический коэффициент напряжений в модельных материалах для градиентных линз

7. Т.С. Углов, студ. 5 к. (научный руководитель – асс. Е.А. Степанов), СПбПУ

Разработка метода и системы мониторинга сердечного ритма на основе интегрированного фотометрического аналогового интерфейса AFE4490

8. Н.Л. Егорычев, студ. 6 к. (научный руководитель – проф. Н.Т. Сударь), СПбПУ

Особенности развития электрического пробоя в тонких полимерных пленках

9. Р.Д. Буслаев, студ. 4 к. (научный руководитель – доц. В.В. Лобода), СПбПУ

Построение модели МЭМС–термоэлектрического генератора в ANSYS

10. Kourosh Mokhtari, студ. 5 к. (научный руководитель – доц. Е.В. Балашов), СПбПУ

Performance of turbo code in power line communication

11. Adnan Shafi, студ. 5 к. (научный руководитель – проф. А.С. Коротков), СПбПУ

Ultra low power digital circuits for design of energy efficient telecommunication systems.

12. С.А. Попов, студ. 4 к. (научный руководитель – проф Н.Т. Сударь), СПбПУ

Кинетика свечения порошковых люминофоров в полимерной матрице

13. K.L. Levine_, A.S. Telepko, NMRU, IMC RAS

Studying samples of coatings containing bacterial cellulose by electrochemical impedance spectroscopy

14. Ф.Б. Свинарев, асп. (научный руководитель – в.н.с. Б.Б. Кричевцов), ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН

Диэлектрические и структурные свойства пленок частично дейтерированного антисегнетоэлектрика бетаинфосфат.