Полупроводниковый триод - транзистор


Полупроводниковый триод, или транзистор, - это электронный прибор, предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов. Состоит он из двух p-n переходов, созданных в одном кристалле.

В зависимости от чередования переходов различают p-n-p и n-p-n транзисторы. Средняя часть триода называется базой. Толщина ее должна быть по возможности меньше. Области с противоположным типом проводимости, прилегающие к базе, называют эмиттером и коллектором. Конструктивно коллектор имеет больший объем, чем эмиттер.

Рассмотрим принцип работы транзистора на примере схемы, изображенной на рисунке 14.7 (схема с общей базой).

Рис. 14.7

На переход "эмиттер-база" подается небольшое постоянное смещение Uэ в прямом направлении и усиливаемый переменный сигнал. Переход "база-коллектор" смещается в обратном направлении значительно большем, чем Uэ напряжением Uк. При таких смещениях сопротивление перехода "эмиттер-база" невелико, сопротивление перехода "база-коллектор" велико. Это позволяет взять в качестве нагрузки большое сопротивление Rвых.

На рисунке 14.8 изображены графики потенциала в зависимости от координаты x в направлении перпендикулярном плоскостям p-n и n-p переходов (см. рисунок 14.7).

Рис. 14.8

В случае отсутствия смещения двойной электрический слой, как мы узнали выше, препятствует движению основных носителей через p-n переход. При прямом смещении перехода "эмиттер-база" величина барьера уменьшается и "барьер" может превратиться в "горку", с которой будут "скатываться" основные носители (см. рис. 14.5б).

Так дырки из эмиттера (у нас - p-область) будут в большом количестве переходить в область базы (n-область в нашем случае). Если база достаточно тонкая, то большая часть пришедших из эмиттера дырок за счет диффузии дойдет до перехода "база-коллектор", не успев рекомбинировать. А здесь для них, дырок, приготовлена потенциальная "горка", с которой они "скатываются" в область коллектора. У хорошего транзистора до 99% (и больше) основных носителей, вышедших из эмиттера, доходят до области коллектора. Можно считать, что ток коллектора Iк примерно равен току эммитера Iэ. При изменении тока эмиттера, вызванном входным сигналом, настолько же изменится и ток коллектора. При этом мощность выходного сигнала будет больше, чем у входного, так как разность потенциалов на переходе "база-коллектор" больше, чем на переходе "эмиттер-база", а электрическая мощность, как известно, равна произведению тока на напряжение.

P = IU.

Таким образом, рассмотренная нами схема с общей базой усиливает сигнал по мощности.

 

Итоги лекции N 14

  1. Атомы пятивалентных элементов, таких как фосфор (Р), мышьяк (As), сурьма (Sb), добавленные в кристаллическую решетку четырехвалентных полупроводников германия (Ge) или кремния (Si), называются донорными примесями.
  2. Каждый атом донорной примеси может поставить в зону проводимости один электрон. Полупроводник с донорной примесью называется полупроводником n-типа, т.к. носителями заряда в этом случае яляются электроны, заряд которых отрицателен (от лат. negativ - отрицательный).
  3. Энергия связи донорного электрона с ионным остатком ~ 10-2 эВ, поэтому при комнатных температурах все донорные электроны переходят в зону проводимости (полная ионизация доноров). Вследствие этого примесная электронная проводимость не зависит от температуры, а определяется только концентрацией доноров.
  4. Атомы трехвалентных элементов, таких как бор (В), алюминий (Al), галлий (Ga), индий (In), добавленные в кристаллическую решетку четырехвалентных полупроводников германия (Ge) и кремния (Si) называются акцепторными примесями.
  5. Каждый атом акцептора может забрать из валентной зоны один электрон, создавая в ней носитель положительного заряда - дырку. Такой примесный полупроводник называется полупроводником р-типа (от лат. positiv - положительный).
  6. Энергия, необходимая для ионизации акцептора невелика (~10-2 эВ), поэтому уже при комнатных температурах все акцепторы будут ионизированы. Вследствие этого дырочная проводимость не будет зависеть от температуры, а определяется только концентрацией акцепторов.
  7. Контакт из двух примесных полупроводников с разным типом проводимости называется p-n-переходом. Такой переход обладает односторонней проводимостью. На основе свойств p-n перехода работает полупроводниковый диод.
  8. Прибор, состоящий из двух p-n переходов, созданных в одном кристалле, называется полупроводниковым триодом или транзистором. Транзистор используется для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов.

 

ОСНОВЫ ФИЗИКИ ЛАЗЕРОВ

 

ЛЕКЦИЯ N 15

Вводные сведения

Лазер(оптический квантовый генератор) - устройство, генерирующеекогерентные электромагнитные волны за счет вынужденного испускания света активной средой, находящейся в оптическом резонаторе.

Термин "лазер" происходит от первых букв английского названия этого устройства: Light Amplification by Stimulated Emission of Radiаtion - усиление света за счет вынужденного испускания излучения.

Первые квантовые генераторы были созданы в 1953 г. советскими физиками Н.Г. Басовым и А.М. Прохоровым и независимо от них американским ученым Таунсом. Всем троим в 1964 г. за эти работы присуждена Нобелевская премия по физике. Квантовые генераторы, созданные Басовым, Прохоровым и Таунсом, работали в микроволновом диапазоне и их английское название "мазер" образовано по тому же принципу, что и термин "лазер", только вместо слова "Light" (свет) используется слово "Microwave" (микроволновое излучение). Первый квантовый генератор, работающий в оптическом диапазоне - рубиновый лазер - был создан в 1960 г. Т. Мейманом (США).

Лазер содержит три основных компонента:

1) активная среда, в которой создают инверсию населенности.

2) система накачки - устройство для создания инверсии населенности.

3) устройство положительной обратной связи - оптический резонатор.

Главными процессами, приводящими к лазерному излучению являются:

1) вынужденное излучение;

2) положительная обратная связь.

 









Последнее изменение этой страницы: 2016-04-19; Нарушение авторского права страницы

infopedia.su не принадлежат авторские права, размещенных материалов. Все права принадлежать их авторам. Обратная связь