Розрахунок компенсаційного стабілізатора

МЕТОДИЧНІ ВКАЗІВКИ

до виконання контрольної роботи

 

з навчальної дисципліни

 

«Електроніка та мікросхемотехніка»

 

для студентів стаціонарної та заочної форми навчання

базового напряму 6.0914 «Комп’ютеризовані системи, автоматика і управління» та базового напряму 050201 «Системна інженерія»

 

Затверджено

на засіданні кафедри комп’ютеризованих систем

автоматики

Протокол №10 від 23 червня 2008 р.

ЛЬВІВ – 2008

Методичні вказівки до виконання контрольної роботи з навчальної дисципліни „Електроніка та мікрохемотехніка”, Ч.2 для студентів базового напряму 6.0914 «Комп’ютеризовані системи, автоматика і управління» та базового напряму 050201 «Системна інженерія» / Укл. О.С. Вітер, Р.В. Проць. – Львів: Видавництво Національного університету „Львівська політехніка”, 2008. 79с.

 

Укладачі Вітер О.С., канд. техн. наук, доц.

Проць Р.В., канд. техн. наук, доц.

 

Відповідальний

за випуск Наконечний А.Й., д-р техн. наук, проф.

 

Рецензенти: Мичуда З.Р., д-р. техн. наук, проф. Голинський В.Д., канд. техн. наук, доц.

Зміст

Вступ ……………………………………………………………...…….....……5

1. Основне завдання розрахунку електричної схеми ……..………..…6

1.1. Вимоги до точності розрахунків……………..……….…..…..….6

1.2. Порядок розрахунку електронних схем……………………...….7

1.3. Послідовність розрахунку електронних схем…………..…..…...8

2. Вибір електрорадіоелементів ……..…………………………..…..…...8

2.1. Транзистори……………………………………………….…..…..9

2.2. Напівпровідникові діоди…………………….…………...…..….10

2.3. Резистори…………………………………………….….….....….10

2.4. Конденсатори…………………………………………......….…..10

2.5. Мікросхеми……………………………………..……........……..12

3. Основні параметри підсилювальних елементів …………...…...….12

3.1. Основні характеристики і параметри біполярного транзистора………………………………………………………………........12

3.2. Основні характеристики і параметри польового

транзистора……………………………..………………………………....….16

3.3. Основні параметри і характеристики

операційного підсилювача………………………………………..…..…...…16

4. Розрахунок електронних вузлів і пристроїв ……………..…...….18

4.1. Розрахунок каскадів попереднього підсилення ……….….…..…18

4.1.1. Розрахунок транзисторного каскаду підсилення

в схемі зі спільним емітером…………………………………………..….....18

4.1.1.1. Розрахунок транзисторного каскаду підсилення

в схемі зі спільним емітером за постійним струмом………………………18

4.1.1.2. Розрахунок транзисторного каскаду підсилення

в схемі зі спільним емітером за змінним струмом………………..………..22

4.1.2. Розрахунок транзисторного каскаду підсилення

в схемі зі спільним колектором…………………………………….……….23

4.1.3. Розрахунок транзисторного каскаду підсилення

в схемі зі спільним колектором і слідкуючим зв’язком….……………..…27

4.1.4. Розрахунок підсилювального каскаду в схемі

зі спільною базою…………………………………………………………….31

4.1.5. Розрахунок каскаду попереднього підсилення на

польовому транзисторі в схемі зі спільним витоком…..……......……..….34

4.1.6. Розрахунок каскаду попереднього підсилення на

польовому транзисторі в схемі зі спільним стоком…..……......…..…..….38

4.1.7. Розрахунок частотних спотворень транзисторного

каскаду підсилення з резистивно-ємнісним зв’язком…………………….41

4.1.8. Розрахунок інвертуючого підсилювача

на операційному підсилювачі……………………..………..….…………….44

4.1.9. Розрахунок неінвертуючого підсилювача

на операційному підсилювачі………………………………………..…....…48

4.2. Розрахунок підсилювачів потужності ……………….…….…...…51

4.2.1. Розрахунок однотактного трансформаторного

підсилювача потужності на транзисторі………………………………….…51

4.2. 2. Розрахунок двотактного трансформаторного

підсилювача потужності на транзисторах……………………….……...…54

4.2.3. Розрахунок безтрансформаторного комплементарного підсилювача потужності на транзисторах………………...……..…….…....57

4.2.4. Розрахунок безтрансформаторного квазікомплементарного

підсилювача потужності на складових транзисторах……………………....60

4.2.5. Нелінійні спотворення в підсилювачах потужності

на транзиторах………………………………………………………………...66

4.3. Розрахунок RC -генератора на операційному

підсилювачі з мостом Віна …………………………………………….........69

Розрахунок компенсаційного стабілізатора

постійної напруги на транзисторах …………………………………….….73

Розрахунок площі радіатора для відведення тепла від

потужного транзистора ………………...……………….……...............…...78

Список літератури …………………………….......………………...…….…80

 

Додатки

Додаток 1. Номінальні значення опорів резисторів і

ємностей конденсаторів…………………………………………………….82

Додаток 2. Резистори постійні недротяні……………….………………....84

Додаток 3. Змінні резистори………………………………….………….....85

Додаток 4. Конденсатори постійної ємності……………………….……...86

Додаток 5. Кремнієві стабілітрони………………………………..……..…91

Додаток 6. Біполярні транзистори…….…………………………………....92

Додаток 7. Польові транзистори…………….……………………………..94

Додаток 8. Операційні підсилювачі………………………….…………….95

 

Вступ

Для сучасного етапу науково-технічного прогресу властиве неухильне удосконалення радіоелектронної елементної бази. Особливо зросла роль електроніки з розвитком технології мікросхемотехніки, яка дозволяє суттєво зменшити габаритні розміри і масу електронних пристроїв, автоматизувати процес їх виготовлення, значно підвищити надійність електронних елементів комп’ютеризованих систем. Мікросхемотехніка, яка є основою сучасної обчислювальної, вимірювальної і керуючої техніки, привела до розробки і широкого впровадження нового класу електронних пристроїв – мікропроцесорів і однокристальних мікро-ЕОМ. Широке впровадження мікросхемотехніки привело до розвитку нового етапу комплексної автоматизації – створення гнучких автоматизованих виробництв, для керування якими широко застосовуються мікропроцесори і мікроконтролери. Електроніка та мікросхемотехніка забезпечує автоматизоване керування технологічними процесами, науковими і експериментальними дослідженнями окремими об’єктами.

Навчальна дисципліна „Електроніка та мікросхемотехніка” основана на теоретичних знаннях, які набуті студентами в процесі вивчення фізики, математики, теоретичних основ електротехніки, метрології та вимірювальної техніки. Ця дисципліна є основою для схемотехнічного забезпечення практично всіх наступних навчальних дисциплін і служить для розуміння принципів побудови основних блоків електронних обчислювальних машин, автоматизованих систем керування технологічними процесами, комп’ютеризованих систем та інших технічних засобів автоматики і керування з використанням мікропроцесорів і мікроконтролерів.

Особливості вивчення „Електроніки та мікросхемотехніки” полягає в тому, що це одна з перших дисциплін, яка пов’язує фундаментальні та спеціальні дисципліни, які забезпечують фахову підготовку студентів. Це перший теоретичний курс, який знайомить студентів з конкретними схемотехнічними рішеннями, що складають основу їх майбутньої спеціальності і дозволяють реалізовувати отримані теоретичні знання і розрахунки в конкретних електронних схемах.

Успішне засвоєння дисципліни полягає не тільки в отриманні глибоких теоретичних знань і принципів побудови електронних і мікроелектронних схем, але й в набутті навиків їх розрахунку та аналізу, а також вибору сучасної елементної бази для їх реалізації.

Для дослідження типових вузлів і пристроїв електроніки та мікросхемотехніки необхідно уміти виконувати їх розрахунки, як на дискретних елементах, що дозволяє наочно показати фізичні процеси, які відбуваються в пристрої та в його окремих елементах, так і на інтегральних схемах різного ступеня інтеграції.

Не дивлячись на те, що існують машинні методи схемотехнічного проектування сучасної електронної апаратури, часто виникає необхідність наближеного розрахунку типових електронних вузлів і пристроїв, з наступним уточненням результатів розрахунку за допомогою ЕОМ або експериментальним шляхом. Попередній спрощений розрахунок дозволяє отримати достовірні дані, а виконання розрахунків сприяє поглибленню теоретичних і практичних знань студентів, розвитку технічної інтуїції, формуванню інтелектуальних і практичних навиків спеціалістів з комп’ютеризованих систем автоматики.

 

Основне завдання розрахунку електричної схеми

 

Основним завданням розрахунків є визначення параметрів електричних компонентів принципової схеми, які забезпечать її ефективну оптимізацію в подальшому. Таким чином, електричний розрахунок дає початкові значення параметрів радіоелектронних пристроїв, які на наступних етапах проектування будуть уточнені. Завдання розрахунку вважають вирішеним, якщо визначені параметри всіх активних і пасивних елементів, а також вибрані їх типи при значеннях вихідних параметрів, які гарантують працездатність електронної апаратури в реальних умовах її експлуатації. Розв’язання завдання далеко не єдине. Для будь-якого електронного пристрою існує деяка множина значень параметрів компонентів, які задовольняють технічні вимоги.

 

Вибір електрорадіоелементів

 

При розрахунку виникає завдання вибору електрорадіоелементів з надзвичайно широкого їх асортименту. Вважаємо, що стандартний електронний елемент вибраний правильно, якщо номінальне значення його параметрів знаходяться в допустимих межах (рівні, більші або менші) з розрахунковими значеннями цих параметрів, а умови експлуатації відповідають технічним умовам.

Транзистори

Транзистори є приладами універсального застосування і можуть успішно використовуватися у типових електронних схемах різного призначення, однак їх рекомендується застосовувати за призначенням, яке вказане в довіднику.

За призначенням транзистори поділяються на підсилювальні, перемикаючі (імпульсні), генераторні і спеціальні (лавинні, двоемітерні, здвоєні і т.д.). В довідниках наводяться параметри транзисторів у певних режимах експлуатації. Робочий режим транзистора в пристрої, який підлягає розрахунку, може відрізнятися від вказаного в довіднику. В цьому випадку необхідно за наведеними у довіднику характеристиками визначити параметри транзистора, які відповідають вибраному режиму.

Застосування високочастотних транзисторів у низькочастотних електронних схемах небажано, оскільки вони дорогі, схильні до самозбудження і виникнення вторинного пробою та мають менші експлуатаційні запаси.

Не допускається перевищення максимального допустимого значення напруг, струмів, потужності розсіювання. Для надійної роботи транзистора напруга на його колекторі і потужність повинні складати не більше, ніж (70-80)% від максимально-допустимих значень, або при допустимому значенні тільки одного з наведених параметрів.

Не бажано застосовувати потужні транзистори у тому випадку, коли можна використати малопотужні, оскільки при використанні потужних транзисторів в режимі малих струмів їх коефіцієнт підсилення за струмом малий і сильно залежить від струму колектора і від температури оточуючого середовища. Крім цього, погіршуються масогабаритні і вартісні показники електронного пристрою.

Якщо не має особливих причин для застосування германієвих транзисторів, то краще використовувати кремнієві. Кремнієві транзистори краще працюють при високих температурах, мають більш високі напруги пробою і менші значення зворотних струмів.

Коефіцієнт підсилення за струмом транзистора в схемі зі спільним емітером (β або h_21e) залежить від колекторного струму і при деякому його значенні досягає максимального значення. Для оптимального підсилення на низьких частотах бажано вибирати значення колекторного струму, при якому коефіцієнт підсилення близький до максимального. В інших випадках потрібно вибирати типове значення коефіцієнта підсилення за струмом, яке вказане в довідниках або дорівнює середньому арифметичному 0,5·() чи геометричному його значенню, якщо у довіднику вказані границі зміни значень β.

Напівпровідникові діоди

 

Необхідно застосовувати діоди в залежності від призначення, наприклад в випрямлячах необхідно використовувати випрямляючі діоди, а в імпульсних пристроях – імпульсні діоди і т.д. Зворотна напруга на діоді і прямий струм через нього не повинні перевищувати (70-80)% від максимально-допустимого значення. Робоча частота діода не повинна перевищувати максимального значення, яке вказане в довіднику. Якщо не має особливих міркувань, щодо застосування германієвих діодів, то краще використовувати кремнієві. Кремнієві діоди краще працюють при високих температурах, мають більш високі напруги пробою і менші значення зворотних струмів. В останній час у випрямлячах використовуються діоди Шоткі, які мають в менший спад напруги в прямому напрямку і менше значення зворотного струму, ніж у кремнієвих діодів.

 

Резистори

В схемах електронних вузлів, які підлягають розрахунку, в якості різноманітних навантажень, подільників напруги, елементів фільтрів, в колах обмеження струмів і т.д. необхідно застосовувати резистори постійного значення загального застосування. У навчальних розрахунках рекомендується застосовувати резистори загального застосування типів: С2-23 і С2-33. У випадках, коли значення параметрів резисторів загального застосування не задовольняють необхідні вимоги, наприклад, низька точність, мале значення опору, велике значення номінальної потужності, необхідно застосовувати спеціальні постійні резистори (прецизійні, високочастотні, високовольтні, низькоомні і т.д.).

Допустиме відхилення опору від номінального значення необхідно вибирати з урахуванням впливу цього відхилення на вихідних параметрів типового електронного вузла або пристрою.

Змінні резистори необхідного вибирати в залежності від конкретного їх призначення: підналагоджувальні резистори, в яких рухома система розрахована на незначну кількість переміщень (до 1000 циклів), в якості тільки підналагоджувальних, а регулювальні, маса, габарити і вартість яких вищі – в якості регулювальних.

 

Конденсатори

Тип електричного конденсатора вибирається за сукупністю вимог: номінального значення ємності, виду і значення робочої напруги та застосування. Якщо конденсатор повинен працювати в колі змінної напруги високої частоти, то необхідно враховувати також тангенс кута діелектричних втрат.

Допустиме відхилення ємності від номінального значення необхідно вибирати з урахуванням чутливості до нього вихідних параметрів конкретної електронної схеми.

Для переважної більшості типів конденсаторів у довідниках наводиться номінальне значення робочої напруги постійного струму. Ефективне значення напруги змінного струму на конденсаторі повинно бути в (1,5–2) рази менше від вказаного значення робочої напруги постійного струму.

При роботі конденсатора в колі пульсуючого струму сума постійної напруги і амплітудного значення змінної напруги на ньому не повинна перевищувати його номінальної робочої напруги.

Оксидні (електролітичні) конденсатори виготовляють двох видів: полярні і неполярні. Полярні конденсатори застосовують лише в тих колах, в яких постійна складова напруги на конденсаторі буде більша від амплітуди змінної складової сигналу. На неполярні конденсатори це обмеження не розповсюджується. Оксидні конденсатори розраховані на робочі напруги від одиниць до декількох сотень вольт, мають велику питому ємність і значення їх ємностей знаходиться в межах від одиниць до сотень тисяч мікрофарад. Полярні оксидні конденсатори не допускають роботи при великих значеннях змінної напруги, переважно допустиме амплітудне значення змінної напруги не перевищує 5В. При застосуванні оксидних конденсаторів у колах пульсуючого або змінного струму, слід врахувати їх нагрівання за рахунок опору втрат конденсатора і вибрати типи конденсаторів з відповідною робочою температурою. Оксидні конденсатори переважно застосовуються в згладжуючих фільтрах, в схемах розділення за постійним струмом, а також в схемах блокування і фільтрації. В навчальних розрахунках рекомендується застосовувати оксидні полярні конденсатори таких типів: К50-6, К50-16, К50-18, К50-20, К50-29, К50-31, К53-7 та інші. В якості оксидних неполярних можна використати, наприклад, конденсатори типів К50-6, К50-15, К52-8.

Не потрібно, без необхідності, застосовувати конденсатори з номінальної напругою, яка значно перевищує робочу, оскільки в цьому випадку значно погіршуються масогабаритні показники і вартість проектованого електронного вузла або пристрою.

При виборі типу конденсаторів, які визначають стабільність і точність часових і частотних параметрів окремих ланок електронної схеми, необхідно застосовувати прецизійні конденсатори з мали значенням температурного коефіцієнта ємності (ТКЄ), наприклад, конденсатори типів: МПО, К71, К73, К77 та інші.

 

 

Мікросхеми

Основною умовою застосування інтегральних мікросхем є строге дотримання режимів роботи, які рекомендовані в технічних умовах на вибрану мікросхему. Це відноситься в першу чергу до значень і полярності напруг живлення, опору навантаження і діапазону температур оточуючого середовища.

Бажано розглянути можливість застосування інтегральних мікросхем загального застосування, які характеризуються низькою вартістю, широким діапазоном напруг живлення, наявністю захисту входу і виходу. Зокрема, при розрахунку підсилювачів низької частоти на операційних підсилювачах (ОП) необхідно надавати перевагу мікросхемам серій: К140, К544, К153. При виборі типів операційних підсилювачів можна користуватися даними, які наведені в додатку 8 або довідковою літературою [15, 22, 23].

Для усунення високочастотної паразитної генерації через спільні кола живлення, до кожного виводу живлення операційного підсилювача рекомендується під’єднати конденсатор ємністю (0,01 – 0,05) мкФ. Для схем, які чутливі до малих значень вхідних напруг і струмів, потрібно передбачити захист входів ОП від струмів витікання, який доцільно виконати у вигляді провідного кільця, друкованої доріжки, яке розташовують навколо входів ОП і з’єднують з спільним виводом схеми. Шини живлення вихідних каскадів слід з’єднати безпосередньо з виходами блоку живлення.

Для захисту входів ОП від викидів диференціального сигналу при перехідних процесах бажано між його входам вмикати два зустрічно-паралельні діоди. Якщо ОП не має вбудованого захисту від короткого замикання на виході, то необхідно послідовно з вихідним виводом ввімкнути резистор з опором біля 200 Ом, а коло зворотного зв’язку під’єднати до другого виводу цього резистора. Таке ввімкнення забезпечує захист ОП від короткого замикання на виході і практично не впливає на вихідний опір схеми.

 

З мостом Віна

Для розрахунку генератора задано: U_вих.m - амплітудне значення вихідної напруги; R_н - опір навантаження; f_н - нижня робоча частота; f_в - верхня робоча частота; Т_оc.макс - максимальна температура оточуючого середовища.

Для забезпечення самозбудження необхідно на вхід підсилювача подавати частину вихідної напруги, яка рівна вхідній і збігається з нею за фазою. Для отримання гармонічних синусоїдальних коливань необхідно, щоб ці умови виконувалися лише на одній частоті і різко порушувалися на всіх інших частотах. Ця частота називається частотою квазірезонансу. Необхідних фазовий зсув формується за допомогою фазоповертаючої ланки (ФПЛ), яка складається з декількох RC -ланок і служить для повороту фази вихідної напруги підсилювача на певний кут ( = n ·2π,
де n = 0, 1, 2,....) на частоті квазірезонансу.

Рис.4.3.1. Схема електрична принципова RC -генератора на операційному підсилювачі

В схемі генератора застосована послідовно-паралельна RC -ланка, яка називається мостом Віна і забезпечує нульовий фазовий зсув на частоті квазірезонансу. Фазочастотна характеристика моста Віна наведена на рис.4.3.3. Коефіцієнт зворотного зв'язку такої ланки дорівнює b_зз=1/3. Це означає, що мінімальний коефіцієнт підсилення за напругою, при якому виконується умова балансу амплітуд, повинен дорівнювати K_u =1/ b_зз =3.

 

Рис.4.3.2. Структурна схема RC -генератора

 

Розрахунок починаємо з вибору типу інтегрального операційного підсилювача виходячи з таких умов

 

де − максимальна додатна і від'ємна напруги на виході операційного підсилювача.

Максимальна швидкість наростання вихідної напруги операційного підсилювача повинна задовольняти таку вимогу

 

Вибираємо тип інтегрального операційного підсилювача і використовуємо такі його електричні параметри: , К_u0, R_н.мін,
V_макс (В/мкс), DU_зм /DT (мкВ /^о С), R_вих.

 

 

 

Рис.4.3.3. Фазочастотна характеристика моста Віна

Для симетричного моста Віна частота квазірезонансу буде дорівнювати

 

Мінімальнезначення вхідного опору Z_{вх мін} моста Віна повинно бути таким, щоб він не перевантажував вихідне коло підсилювального каскаду

 

 

де R_мін - мінімальне значення опору одного плеча моста Віна.

 

 

Змінний резистор, який призначений для плавного регулювання частоти, повинен бути здвоєним, щоб забезпечувати одночасну зміну опорів кожного плеча моста Віна

 

 

Знаходимо значення конденсаторів С₁ і С₂ для верхньої частоти діапазону

Коло від'ємного зворотного зв’язку забезпечує стабілізацію амплітуди вихідної напруги і покращує форму вихідного сигналу. Стала часу термістора R₅ повинна бути значно більшою від максимального періоду частоти квазірезонансу

 

Визначаємо значення спаду напруги на термісторі R₅

 

Вибираємо тип термістора. Вольт-амперна характеристика термістора зображена на рис.4.3.4. За вольт-амперною характеристикою будуємо залежність R_T = F (I_T), яка наведена на рис.4.3.5. Вибираємо робочу точку А термістора на ділянці максимальної крутизни. Для цієї точки знаходимо значення R_TА, І_ТА, U_TА.

 

Рис.4.3.4. Вольт-амперна характеристика термістора

 

 

Рис.4.3.5. Залежність опору термістора від струму.

 

Розраховуємо значення резистора R₄ з умови забезпечення необхідного коефіцієнта підсилення за напругою

 

Вихідний каскад на транзисторах VT₁ і VT₂ виконаний за схемою комплементарного повторювача напруги і призначений для узгодження вихідного опору генератора з опором навантаження.

Визначаємо амплітудне значення струму в навантаженні

 

 

Живлення комплементарного повторювача здійснюється від двополярного джерела напруги, що дозволяє отримати на його виході напругу необхідного значення. Для комплементарного повторювача напруги VT₁ і VT₂ вибираємо транзистори з різним типом провідності і однаковими параметрами: VT₁ (n-p-n), а VT₂ (p-n-p). Розраховуємо значення вихідного опору комплементарного повторювача напруги

 

 

 

Визначаємо вихідний опір генератора на ОП з урахуванням від’ємного зворотного зв'язку за напругою

 

 

Задаємося значенням коефіцієнта частотних спотворень на нижній частоті М_{н (дб)} в децибелах за рахунок ємності конденсатора С₃ і розраховуємо його значення

 

де - коефіцієнт частотних спотворень на нижній частоті у відносних одиницях ( )_.

 

 

Розрахунок площі радіатора

Список літератури

1. Схемотехніка електронних систем: У3 кн.1 Аналогова схемотехніка та імпульсні пристрої. Підручник / В.І. Бойко, А.М. Гуржій, В.Я. Жуйков та ін. – 2-ге вид., допов. і переробл. – К.: Вища школа, 2004. - 366с.

2. Електроніка та мікросхемотехніка / В.І. Сенько, М.В. Панасенко, Є.В. Сенько та ін. - К.: Обереги.2000. – Т1. - 299с.

3. Волович Г. И. Схемотехника аналоговых и аналого-цифровых

4. электронных устройств. — М.: Издательский дом «Додэка-ХХI», 2005. — 528 с.

5. Додик С.Д. Полупроводниковые стабилизаторы постоянного напряжения и тока. - М.: Советское радио, 1980.

6. Китаев В.Е.,Бокуряев А.А. Расчет источников электропитания устройств сязи. - М.: Связь, 1979.

7. Гершунский Б.С. Справочник по расчету электронных схем. Киев: Вища школа, 1983.

8. Цыкина А.В. Электронные усилители. - М.: Радио и связь, 1982.

9. Проектирование транзисторных усилителей звуковых частот. Под ред. Н.Л. Безладнова. - М.: Связь, 1978.

10. Воробьев Н.И. Проектирование электронных устройств: Учебное пособие для вузов по специальности “Автоматика и управление в технических системах.” - М.: Высш. школа, 1989.

11. Проектирование усилительных устройств. Под ред. Н.В. Терпугова. - М.: Высшая школа, 1982.

12. Воейков Д.Д. Конструирование низкочастотных генераторов. - М.: Энергия, 1964.

13. Бондаренко В.Г. RC-генераторы синусоидальных колебаний на транзисторах. - М.: Связь, 1976.

14. Герасимов С.М. Расчет полупроводниковых усилителей и генераторов. - Киев: Вища школа, 1961.

15. Вавилов А.А., Солодовников А.И., Шнайдер В.В. Низкочастотные измерительные генераторы. - Л.: Энергоатомиздат, 1985.

16. Москатов Е.А. Справочник по полупроводниковым приборам. - М.: Журнал «Радио», 2005.

17. Транзисторы для аппаратуры широкого применения. Справочник под ред. Б.Л. Перельмана. - М.: Радио и связь, 1981.

18. Полупроводниковые приборы: диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы. Справочник. Под общей ред. Н.Н. Горюнова. - М.: Энергоиздат, 1982.

19. Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник. Под общей редакцией Н.Н. Горюнова. - М.: Энергоиздат, 1982.

20. Резисторы. Справочник - Под ред. Четверткова И.И. - М.: Энергоиздат, 1981.

21. Справочник по электрическим конденсаторам. Под общей ред. Четверткова И.И. - М.: Радио и связь, 1983.

22..Петухов В.М. Полупроводниковые приборы. Транзисторы. Справочник. - М.: Рикел, Радио и связь, 1995.

23. Гутников В.С. Интегральная электроника в измерительных устройствах. - Л.: Энергоатомиздат, 1988.

24..Аналоговые интегральные микросхемы: Справочник / Б.П. Кудряшов, Ю.В. Назаров, Б.В. Тарабрин, В.А. Ушибышев. - М.: Радио и связь, 1981.

25. Гришина Л.М., Павлов В.В. Полевые транзисторы. (Справочник). - М.: Радио и связь, 1982.

Додатки

Додаток 1

0,1; 0,25; 1; 2; 4; 6; 8; 10; 20; 40; 60; 80; 100; 200; 400; 600; 800; 1000.

6. Номінальні ємності (в мкФ) оксидних алюмінієвих конденсаторів повинні відповідати числам ряду: 0,5; 1; 2; 5; 10; 20; 30; 50; 100; 200; 300; 500; 1000; 2000; 5000.

7. Для конденсаторів з допустимим відхиленням меншим ніж ± 5 % передбачені значення ємностей, які відповідають рядам: Е48; Е96; Е192 (табл.Д.1.2).

8. Значення напруг живлення окремих схем приймаємо виходячи з рекомендованого ряду: 4 В; 5В, 6В, 9В, 10В, 12В, 15В, 18В, 20В, 24В, 27В, 30В, 36В, 40 В, 50В, 60В, … 100В.

Таблиця Д.1.2

Ряди для визначення номінальних значень опорів і ємностей
при допустимих відхиленнях менших від ± 5 %

Е48	Е96	Е192	Е48	Е96	Е192	Е48	Е96	Е192	Е48	Е96	Е192

Додаток 2

Додаток 3

Змінні резистори

Таблиця Д.3.1.

Основні дані деяких типів змінних резисторів